無錫華潤上華科技有限公司馮冰獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉無錫華潤上華科技有限公司申請的專利LDMOS器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115579393B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110758264.3，技術領域涉及：H10D30/65；該發明授權LDMOS器件及其制備方法是由馮冰;許超奇;張建棟;繆海生;賀騰飛設計研發完成，并于2021-07-05向國家知識產權局提交的專利申請。
本LDMOS器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種LDMOS器件及其制備方法，在金屬硅化物阻擋層中，采用與氧化硅層具有較大的刻蝕選擇比的氮氧化硅層作為LDMOS漂移區上方的懸停金屬接觸件的刻蝕阻擋層；具有高消光系數的氮氧化硅層能夠顯著降低H遷移對PMOS造成的影響；可不增加退火或紫外光照處理，直接利用流程中的較低溫度的RTA熱退火過程就能實現應力記憶及應力遷移，以增加NMOS的電子遷移速率；不用增加額外的光刻及腐蝕過程，可提升產品流通效率。
本發明授權LDMOS器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件包括： 半導體襯底； 漂移區，所述漂移區位于所述半導體襯底中； 體區，所述體區位于所述漂移區中； 源極及漏極，所述源極位于所述體區中，所述漏極位于所述漂移區中； 柵極介電層，所述柵極介電層覆蓋所述漂移區，并延伸至覆蓋部分所述源極及部分所述漏極； 柵極，所述柵極覆蓋所述柵極介電層，且顯露位于所述漂移區上方的部分所述柵極介電層； 金屬硅化物阻擋層，所述金屬硅化物阻擋層覆蓋顯露的所述柵極介電層，且所述金屬硅化物阻擋層包括與所述柵極介電層相接觸的氧化硅層及位于所述氧化硅層上的氮氧化硅層； 層間介電層，所述層間介電層覆蓋所述柵極、源極、漏極以及所述金屬硅化物阻擋層； 金屬接觸件，所述金屬接觸件包括柵極金屬接觸件、源極金屬接觸件、漏極金屬接觸件及位于所述氧化硅層表面上的懸停金屬接觸件。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人無錫華潤上華科技有限公司，其通訊地址為：214028 江蘇省無錫市國家高新技術產業開發區新洲路8號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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