愛思開海力士有限公司金在澤獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉愛思開海力士有限公司申請的專利半導體裝置以及該半導體裝置的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114551468B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110692916.8，技術領域涉及：H10B43/27；該發明授權半導體裝置以及該半導體裝置的制造方法是由金在澤設計研發完成，并于2021-06-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置以及該半導體裝置的制造方法在說明書摘要公布了：本公開涉及一種半導體裝置以及該半導體裝置的制造方法。半導體裝置包括：單元層疊結構，該單元層疊結構包括交疊層疊的第一單元層疊層和層疊導電層；單元插塞，該單元插塞穿透單元層疊結構；以及單元芯片保護件，該單元芯片保護件圍繞單元層疊結構和單元插塞。單元芯片保護件包括保護件半導體層和覆蓋保護件半導體層的側壁的保護件絕緣層。
本發明授權半導體裝置以及該半導體裝置的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，該半導體裝置包括： 單元層疊結構，所述單元層疊結構包括交疊層疊的第一單元層疊層和層疊導電層； 單元插塞，所述單元插塞穿透所述單元層疊結構； 單元芯片保護件，所述單元芯片保護件圍繞所述單元層疊結構和所述單元插塞； 虛設源極結構，所述虛設源極結構連接到所述單元芯片保護件；以及 穿透保護件部件，所述穿透保護件部件穿透所述虛設源極結構， 其中，所述單元芯片保護件包括保護件半導體層和覆蓋所述保護件半導體層的側壁的保護件絕緣層， 其中，所述穿透保護件部件的頂表面與所述虛設源極結構的頂表面設置在相同的高度處，并且 其中，所述單元芯片保護件的一部分設置在所述虛設源極結構中，并且與所述穿透保護件部件間隔開。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人愛思開海力士有限公司，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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