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龍圖騰網(wǎng)獲悉喬治洛德方法研究和開發(fā)液化空氣有限公司申請的專利基于硅的自組裝單層組合物及使用該組合物的表面制備獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116157551B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202180061144.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C09K3/00；該發(fā)明授權(quán)基于硅的自組裝單層組合物及使用該組合物的表面制備是由文卡特斯瓦拉·R·帕倫姆;讓-馬克·吉拉爾;尼古拉斯·布拉斯科;克洛迪婭·法法爾德;法布里齊奧·馬切吉亞尼設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-06-18向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本基于硅的自組裝單層組合物及使用該組合物的表面制備在說明書摘要公布了：披露了一種形成SAM的組合物，其包含具有主鏈的SAM單體或前體，該主鏈具有表面反應(yīng)性基團，其中該主鏈不包含Si?C鍵并且選自由無Si?C鍵的聚硅烷和三甲硅烷基胺組成的組。披露了該表面反應(yīng)性基團用于分別是電介質(zhì)表面和金屬表面的待覆蓋的表面。還披露了一種在表面上形成SAM的方法，以及一種在該SAM上形成膜的方法。

本發(fā)明授權(quán)基于硅的自組裝單層組合物及使用該組合物的表面制備在權(quán)利要求書中公布了：1.一種形成膜的方法，該方法包括以下步驟： 制備基底上的表面以使該表面暴露于形成自組裝單層SAM的組合物，該組合物包含 具有主鏈的SAM前體，該主鏈具有表面反應(yīng)性基團X， 其中該主鏈不包含Si-C鍵并且是無Si-C的聚硅烷和三甲硅烷基胺組成的組， 其中該表面反應(yīng)性基團X選自： -選自Cl、Br、I的鹵素； -氰酸酯、異氰酸酯或硫氰酸酯基團； -氨基-NR1R2，其中R1選自H、直鏈、支鏈或環(huán)狀的C1-C10烷基或烯基或烷基甲硅烷基；R2選自直鏈、支鏈或環(huán)狀的C2-C10烷基或烯基，其前提是R1＝R2≠Et；或烷基甲硅烷基；或者R1和R2橋接，從而NR1R2形成環(huán)狀配體，其前提是該環(huán)狀配體包含雜原子S、N或O； -脒基-R3-N-CR4＝N-R5，其中R3和R5各自獨立地選自C1至C10直鏈或支鏈的烷基或三烷基甲硅烷基；并且R4選自H、C1至C10直鏈或支鏈的烷基；或 -巰基-SH、膦酸或羧酸； 使該表面暴露于該形成SAM的組合物； 通過液相或氣相暴露在該表面上形成該SAM；以及 利用形成膜的前體通過濕法沉積工藝或干法沉積工藝使膜在該SAM上生長，該形成膜的前體選自主族元素，或是選自Ti、Ta、W、Mo、Nb或V的過渡金屬元素，氟化物、氯化物、溴化物、碘化物、氯氧化物、溴氧化物、氟氧化物，以及它們的組合。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人喬治洛德方法研究和開發(fā)液化空氣有限公司，其通訊地址為：法國巴黎；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。