日月光半導體制造股份有限公司謝孟偉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉日月光半導體制造股份有限公司申請的專利半導體設備封裝和其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113257773B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011037599.8，技術領域涉及：H01L23/498；該發明授權半導體設備封裝和其制造方法是由謝孟偉;康國章設計研發完成，并于2020-09-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體設備封裝和其制造方法在說明書摘要公布了：本公開關于一種半導體設備封裝及其制造方法。所述半導體設備封裝包含第一電路層、第一發射設備和第二發射設備。所述第一電路層具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面。所述第一發射設備安置在所述第一電路層的所述第二表面上。所述第一發射設備具有面向所述第一電路層的第一表面和與所述第一表面相對的第二表面。所述第一發射設備具有安置在所述第一發射設備的所述第一表面上的第一導電圖案。所述第二發射設備安置在所述第一發射設備的所述第二表面上。所述第二發射設備具有面向所述第一發射設備的所述第二表面的第一表面和與所述第一表面相對的第二表面。所述第二發射設備具有安置在所述發射設備的所述第二表面上的第二導電圖案。所述第一發射設備的熱膨脹系數CTE大于所述第二發射設備的CTE。
本發明授權半導體設備封裝和其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體設備封裝，其包括： 第一電路層，所述第一電路層具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面； 第一發射設備，所述第一發射設備安置在所述第一電路層的所述第二表面上，所述第一發射設備具有面向所述第一電路層的第一表面和與所述第一表面相對的第二表面，所述第一發射設備具有安置在所述第一發射設備的所述第一表面上的第一導電圖案；以及 第二發射設備，所述第二發射設備安置在所述第一發射設備的所述第二表面上，所述第二發射設備具有面向所述第一發射設備的所述第二表面的第一表面和與所述第一表面相對的第二表面，所述第二發射設備具有安置在所述發射設備的所述第二表面上的第二導電圖案， 其中所述第一發射設備的熱膨脹系數CTE大于所述第二發射設備的CTE。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人日月光半導體制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣高雄市楠梓加工區經三路26號郵編81170；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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