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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海麗恒光微電子科技有限公司申請(qǐng)的專利一種制冷紅外探測(cè)器及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114256379B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202010956026.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F71/00；該發(fā)明授權(quán)一種制冷紅外探測(cè)器及其制備方法是由楊天倫;毛劍宏設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-09-11向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種制冷紅外探測(cè)器及其制備方法在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明提供的一種制冷紅外探測(cè)器的及其制備方法中，制備方面包括以下步驟：提供一襯底，襯底上依次形成有超晶格復(fù)合層和硬掩模層，襯底中形成有溝槽和臺(tái)面，溝槽和臺(tái)面貫穿硬掩模層，并均暴露出部分厚度的超晶格復(fù)合層；去除硬掩模層；對(duì)襯底執(zhí)行第一次清潔和表面處理工藝；在超晶格復(fù)合層上形成第一鈍化層；對(duì)襯底的表面執(zhí)行第二次清潔和表面處理工藝。本發(fā)明通過(guò)形成雙層的鈍化層第一鈍化層和第二鈍化層以及在形成每個(gè)鈍化層之前均執(zhí)行第一次清潔和表面處理工藝，以減少超晶格復(fù)合層表面的懸掛鍵，改變器件的表面態(tài)，同時(shí)還增加了后續(xù)形成第一鈍化層的歐姆接觸，降低了表面漏電流，從而降低暗電流，提高了器件的性能。

本發(fā)明授權(quán)一種制冷紅外探測(cè)器及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種制冷紅外探測(cè)器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 提供一襯底，所述襯底上依次形成有超晶格復(fù)合層和硬掩模層，所述襯底中還形成有溝槽和臺(tái)面，所述溝槽和臺(tái)面均貫穿所述硬掩模層，并均暴露出部分厚度的所述超晶格復(fù)合層； 去除所述硬掩模層； 在CVD、PVD或者ALD設(shè)備中對(duì)所述襯底的表面執(zhí)行第一次清潔和表面處理工藝，其中，所述第一次清潔和表面處理工藝在真空的反應(yīng)腔室中進(jìn)行，在反應(yīng)腔室中通入了清潔氣體，且所述清潔氣體的流量大于10sccm，工藝時(shí)間大于400秒； 在所述超晶格復(fù)合層上形成第一鈍化層，所述第一鈍化層覆蓋了所述溝槽和臺(tái)面，其中，所述第一鈍化層為單質(zhì)硫或者硫化合物，且所述第一鈍化層通過(guò)電鍍的方式，或者通過(guò)鍍膜的方式形成； 在ALD、CVD或PVD設(shè)備中對(duì)所述襯底的表面執(zhí)行第二次清潔和表面處理工藝，其中，所述第二次清潔和表面處理工藝在真空的反應(yīng)腔室中進(jìn)行，在反應(yīng)腔室中通入了氫氣，且氫氣的流量大于10sccm，工藝時(shí)間在6min以上，所述反應(yīng)腔室的真空度小于100torr； 在所述第一鈍化層上形成第二鈍化層，所述第二鈍化層包括氮化硅、氧化硅、氧化鉿、氮化鋁和氧化鋁，且所述第二鈍化層通過(guò)ALD工藝、CVD工藝或PVD工藝形成； 刻蝕所述第二鈍化層，并暴露出所述超晶格復(fù)合層，以形成開(kāi)孔； 在所述開(kāi)孔中形成金屬電極。

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