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龍圖騰網(wǎng)獲悉聯(lián)華電子股份有限公司申請的專利半導(dǎo)體元件及其制作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113972315B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202010717276.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10N50/80；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體元件及其制作方法是由陳禹鈞;劉彥群;馮雅圣;邱久容;曾奕銘;施易安;李怡慧;朱中良;胡修豪設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-07-23向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體元件及其制作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體元件及其制作方法，其中該半導(dǎo)體元件主要包含磁阻式隨機(jī)存取存儲器MagnetoresistiveRandomAccessMemory,MRAM區(qū)以及邏輯區(qū)定義于基底上，第一金屬內(nèi)連線設(shè)于MRAM區(qū)，第二金屬內(nèi)連線設(shè)于邏輯區(qū)，停止層由第一金屬內(nèi)連線延伸至第二金屬內(nèi)連線且第一金屬內(nèi)連線上的停止層以及第二金屬內(nèi)連線上的停止層包含不同厚度以及一磁性隧穿結(jié)magnetictunnelingjunction,MTJ設(shè)于第一金屬內(nèi)連線上。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體元件及其制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體元件，其特征在于，包含： 基底，包含磁阻式隨機(jī)存取存儲器MagnetoresistiveRandomAccessMemory,MRAM區(qū)域以及邏輯區(qū)域； 第一金屬內(nèi)連線，設(shè)于該磁阻式隨機(jī)存取存儲器區(qū)域； 第二金屬內(nèi)連線，設(shè)于該邏輯區(qū)域； 停止層，由該第一金屬內(nèi)連線延伸至該第二金屬內(nèi)連線，其中該第一金屬內(nèi)連線上的該停止層的厚度大于該第二金屬內(nèi)連線上的該停止層的厚度，且該第一金屬內(nèi)連線上的該停止層的頂表面為平坦表面；以及 磁性隧穿結(jié)magnetictunnelingjunction,MTJ，設(shè)于該第一金屬內(nèi)連線上。

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