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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國恩菲工程技術(shù)有限公司申請的專利多區(qū)域高落差充填的露天坑及充填方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN111963177B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202010682998.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：E21C41/32；該發(fā)明授權(quán)多區(qū)域高落差充填的露天坑及充填方法是由謝盛青;周彩霞;劉育明;杜貴文;岑建;逄銘璋;馬俊生設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-07-15向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本多區(qū)域高落差充填的露天坑及充填方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種多區(qū)域高落差充填的露天坑及充填方法。所述露天坑充填方法包括S1：將露天坑分成多個區(qū)域并確定各區(qū)域的目標(biāo)充填高度，S2：從多個區(qū)域選擇相鄰的第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域的第一目標(biāo)充填高度低于第二區(qū)域的第二目標(biāo)充填高度；S3：將第一區(qū)域充填至第一目標(biāo)充填高度；S4：將第二區(qū)域充填至第一目標(biāo)充填高度；S5：在第一區(qū)域與第二區(qū)域之間堆筑一級攔擋壩，并將第二區(qū)域從第一目標(biāo)充填高度充填至第一充填高度；S6：在一級攔擋壩遠(yuǎn)離第一區(qū)域的一側(cè)堆筑二級攔擋壩，并將第二區(qū)域從第一充填高度充填至第二充填高度；重復(fù)S5和S6，直至第二區(qū)域充填至第二目標(biāo)充填高度。根據(jù)本發(fā)明所充填的露天坑，施工難度小，牢固性和安全性高。

本發(fā)明授權(quán)多區(qū)域高落差充填的露天坑及充填方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種露天坑多區(qū)域高落差充填方法，其特征在于，包括： 步驟S1：將露天坑分成多個區(qū)域并確定各個區(qū)域的目標(biāo)充填高度； 步驟S2：從多個所述區(qū)域選擇相鄰的第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域的第一目標(biāo)充填高度低于所述第二區(qū)域的第二目標(biāo)充填高度； 步驟S3：將所述第一區(qū)域充填至所述第一目標(biāo)充填高度； 步驟S4：將所述第二區(qū)域充填至所述第一目標(biāo)充填高度； 步驟S5：在所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域之間堆筑一級攔擋壩，并將所述第二區(qū)域從所述第一目標(biāo)充填高度充填至第一充填高度； 步驟S6：在所述一級攔擋壩遠(yuǎn)離所述第一區(qū)域的一側(cè)堆筑二級攔擋壩，并將所述第二區(qū)域從所述第一充填高度充填至第二充填高度； 重復(fù)步驟S5和S6，直至將所述第二區(qū)域充填至所述第二目標(biāo)充填高度； 重復(fù)步驟S2-S6，完成將多個所述區(qū)域充填至各自的目標(biāo)充填高度； 還包括在所述第二區(qū)域內(nèi)的充填體邊緣開設(shè)截水溝，以及在至少一部分?jǐn)r擋壩的堤腳處開設(shè)有排水溝，所述排水溝與所述截水溝連通；所述第一區(qū)域內(nèi)設(shè)有蓄水池，所述截水溝和所述排水溝連通至所述蓄水池； 在對所述第二區(qū)域進(jìn)行充填時，從鄰近每一級攔擋壩的一側(cè)朝向遠(yuǎn)離每一級攔擋壩的方向進(jìn)行充填； 所述第二區(qū)域內(nèi)，鄰近所述攔擋壩處的充填體高于遠(yuǎn)離所述攔擋壩處的充填體。

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