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龍圖騰網(wǎng)獲悉西安交通大學(xué)申請(qǐng)的專利一種晶體生長(zhǎng)爐的模型構(gòu)建方法和電子設(shè)備獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120296999B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510772230.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G06F30/20；該發(fā)明授權(quán)一種晶體生長(zhǎng)爐的模型構(gòu)建方法和電子設(shè)備是由李早陽(yáng);祁沖沖;楊垚;王君嵐;羅金平;劉立軍設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-06-11向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種晶體生長(zhǎng)爐的模型構(gòu)建方法和電子設(shè)備在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種晶體生長(zhǎng)爐的模型構(gòu)建方法和電子設(shè)備，涉及晶體生長(zhǎng)技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括：根據(jù)加熱器，構(gòu)建與加熱器對(duì)應(yīng)的第一三維圖形；根據(jù)與加熱器配合設(shè)置的電極以及加熱器的第一中心軸線與電極的第二中心軸線之間的第一距離，構(gòu)建與電極對(duì)應(yīng)的第二三維圖形；根據(jù)第一三維圖形構(gòu)建加熱器對(duì)應(yīng)的二維加熱器模型，根據(jù)第二三維圖形構(gòu)建電極對(duì)應(yīng)的二維電極模型；獲取加熱器的第一功率密度和電極的第二功率密度；將第一功率密度加載到二維加熱器模型，將第二功率密度加載到二維電極模型；基于二維加熱器模型和二維電極模型對(duì)晶體生長(zhǎng)爐進(jìn)行數(shù)值模擬。本發(fā)明實(shí)施例提高了對(duì)晶體生長(zhǎng)爐進(jìn)行數(shù)值模擬得到的模擬結(jié)果的準(zhǔn)確性。

本發(fā)明授權(quán)一種晶體生長(zhǎng)爐的模型構(gòu)建方法和電子設(shè)備在權(quán)利要求書中公布了：1.一種晶體生長(zhǎng)爐的模型構(gòu)建方法，其特征在于，所述方法包括： 根據(jù)晶體生長(zhǎng)爐中的加熱器，構(gòu)建與所述加熱器對(duì)應(yīng)的第一三維圖形；所述第一三維圖形具有二維軸對(duì)稱性且所述第一三維圖形的體積等于所述加熱器的體積；根據(jù)晶體生長(zhǎng)爐中加熱器的邊緣輪廓，構(gòu)建所述加熱器對(duì)應(yīng)的三維實(shí)心環(huán)形；所述三維實(shí)心環(huán)形在與第三中心軸線平行方向上的尺寸等于所述加熱器在與第一中心軸線平行方向上的尺寸，所述三維實(shí)心環(huán)形在與所述第三中心軸線垂直方向上的尺寸等于所述加熱器在與所述第一中心軸線垂直方向上的尺寸；所述三維實(shí)心環(huán)形的體積大于所述加熱器的體積，且所述三維實(shí)心環(huán)形具有二維軸對(duì)稱性；所述第三中心軸線為所述三維實(shí)心環(huán)形的中心軸線；根據(jù)所述三維實(shí)心環(huán)形和所述加熱器，從所述三維實(shí)心環(huán)形中確定目標(biāo)縫隙；所述目標(biāo)縫隙具有二維軸對(duì)稱性，且所述目標(biāo)縫隙的體積等于所述三維實(shí)心環(huán)形的體積與所述加熱器的體積之間的差值；根據(jù)所述目標(biāo)縫隙和所述三維實(shí)心環(huán)形，構(gòu)建所述加熱器對(duì)應(yīng)的第一三維圖形； 根據(jù)所述晶體生長(zhǎng)爐中與所述加熱器配合設(shè)置的電極，以及所述加熱器的第一中心軸線與所述電極的第二中心軸線之間的第一距離，構(gòu)建與所述電極對(duì)應(yīng)的第二三維圖形；所述第二三維圖形具有二維軸對(duì)稱性且所述第二三維圖形的體積等于所述電極的體積；獲取與所述加熱器配合設(shè)置的電極在與所述第一中心軸線平行方向上的第三尺寸；根據(jù)所述第三尺寸，獲取與所述加熱器配合設(shè)置的電極的第三體積；根據(jù)所述第三體積、所述第三尺寸，以及所述加熱器的第一中心軸線與所述電極的第二中心軸線之間的第一距離，計(jì)算第二三維圖形在與第四中心軸線垂直方向上的第四尺寸；所述第四中心軸線為所述第一三維圖形的中心軸線；根據(jù)所述第四尺寸，以所述第四中心軸線為中心，構(gòu)建與所述第四中心軸線之間的距離等于所述第一距離的三維環(huán)形，并將所述三維環(huán)形確定為所述電極對(duì)應(yīng)的第二三維圖形； 根據(jù)所述第一三維圖形構(gòu)建所述加熱器對(duì)應(yīng)的二維加熱器模型，并根據(jù)所述第二三維圖形構(gòu)建所述電極對(duì)應(yīng)的二維電極模型；將所述第一三維圖形和所述第二三維圖形進(jìn)行組合，得到組合三維圖形；在所述組合三維圖形中，所述第一三維圖形的第四中心軸線與所述第二三維圖形的中心軸線重合；沿著所述第四中心軸線所在的任意平面將所述組合三維圖形剖開，得到剖面圖；將所述剖面圖中所述第一三維圖形的二維剖面圖確定為二維加熱器模型，并將所述剖面圖中所述第二三維圖形的二維剖面圖確定為二維電極模型； 獲取所述加熱器的第一功率密度和所述電極的第二功率密度； 將所述第一功率密度加載到所述二維加熱器模型，并將所述第二功率密度加載到所述二維電極模型； 基于所述二維加熱器模型和所述二維電極模型，對(duì)所述晶體生長(zhǎng)爐進(jìn)行數(shù)值模擬。

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