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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國電子科技集團(tuán)公司第五十四研究所申請的專利一種基于特征模分析的陣列天線降耦表面設(shè)計(jì)方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120234850B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510702967.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G06F30/10；該發(fā)明授權(quán)一種基于特征模分析的陣列天線降耦表面設(shè)計(jì)方法是由司偉;韓國棟;安磊;李藝菲設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-05-29向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種基于特征模分析的陣列天線降耦表面設(shè)計(jì)方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種基于特征模分析的陣列天線降耦表面設(shè)計(jì)方法，屬于陣列天線降耦表面設(shè)計(jì)領(lǐng)域。該方法首先，通過特征模分析找到主要的對消模式；然后，結(jié)合特征模理論，改變降耦表面的位置和貼片對主要對消模式的幅度、相位進(jìn)行調(diào)控實(shí)現(xiàn)降耦要求，得到符合降耦要求的降耦表面。相對于目前基于S參數(shù)的降耦表面設(shè)計(jì)方法，本方法（1）結(jié)合特征模理論進(jìn)行設(shè)計(jì)，使設(shè)計(jì)方向更加明確，從而降低了優(yōu)化次數(shù)和對經(jīng)驗(yàn)的依賴,提升了設(shè)計(jì)效率；（2）通過分析耦合場和對消場的特征模式，找到了主要的對消模式，從而提升了設(shè)計(jì)精確度，提高了設(shè)計(jì)的降耦表面的降耦效果。除此之外，因?yàn)樘卣髂＠碚摰膹V泛適用性，該方法適用于各種陣列天線的降耦表面研發(fā)。

本發(fā)明授權(quán)一種基于特征模分析的陣列天線降耦表面設(shè)計(jì)方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基于特征模分析的陣列天線降耦表面設(shè)計(jì)方法，其特征在于，具體包括以下步驟： 步驟1，初步設(shè)計(jì)陣列天線降耦表面；陣列天線降耦表面的貼片采用多個(gè)矩形貼片組合的形式，矩形貼片的排布方向和天線的極化方向一致； 步驟2，用電磁仿真軟件FEKO對陣列單元間的耦合場進(jìn)行特征模分析，得到耦合場各個(gè)模式的幅度、相位；對對消場進(jìn)行特征模分析，得到對消場各個(gè)模式的幅度、相位； 耦合場模式的分量設(shè)為，對消場模式的分量設(shè)為；通過 ； 計(jì)算各個(gè)模式的對消程度，找到主要的對消模式；其中，、，表示特征模式，表示場的、、分量，和分別表示耦合場模式的分量的幅度和相位，和分別表示對消場模式的分量的幅度和相位，表示對消場模式的分量對耦合場模式的分量造成的對消程度； 步驟3，改變陣列天線降耦表面位置，分析改變位置后對消程度的變化；若對消程度增大，繼續(xù)進(jìn)行相同方向的位置調(diào)整，反之進(jìn)行相反方向的位置調(diào)整，直至得到滿足降耦要求的天線降耦表面位置； 步驟4，電磁仿真軟件FEKO仿真得到主要對消模式的特征值，并根據(jù)特征值判斷主要對消模式存儲(chǔ)的是凈電能還是凈磁能；然后，通過對陣列天線降耦表面的貼片進(jìn)行修型，改變主要對消模式存儲(chǔ)凈電能凈磁能的能力，進(jìn)而改變其特征值，降低主要對消模式的； 步驟5，重復(fù)步驟2到步驟4直至符合降耦要求。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中國電子科技集團(tuán)公司第五十四研究所，其通訊地址為：050081 河北省石家莊市中山西路589號中國電子科技集團(tuán)公司第五十四研究所天伺部；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。