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龍圖騰網獲悉通威微電子有限公司申請的專利一種半導體器件及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120201752B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510668336.3，技術領域涉及：H10D30/66；該發明授權一種半導體器件及其制作方法是由李大龍設計研發完成，并于2025-05-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體器件及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種半導體器件及其制作方法，涉及半導體技術領域，該半導體器件包括襯底、第一外延層、第二外延層、P阱區、N摻雜區和P摻雜區、柵氧層、多晶硅層、阻擋層、歐姆接觸層、第一金屬層和第二金屬層。第二外延層上設置有第一級寬溝槽，柵氧層的側壁、多晶硅層的側壁以及第一級寬溝槽的側壁相平齊，阻擋層延伸至第一級寬溝槽的底壁，并同時覆蓋多晶硅層的側壁、柵氧層的側壁以及第一級寬溝槽的側壁。一方面防止了高溫下液態Al滲透到柵極，避免了短路失效和浪涌失效。另一方面避免了液態Al滲透到溝道區域，從而避免了出現漏電流增大、擊穿電壓降低、閾值電壓Vth漂移、導通電阻增加等問題，提高了器件雪崩、熱學等可靠性及魯棒性。

本發明授權一種半導體器件及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于，包括： 襯底； 位于所述襯底表面的第一外延層； 位于所述第一外延層表面的第二外延層，所述第二外延層形成有第一級寬溝槽； 位于所述第二外延層遠離所述襯底一側表層的P阱區、N摻雜區和P摻雜區，所述N摻雜區的兩側分別與所述P阱區和所述P摻雜區接觸，所述N摻雜區與所述第一級寬溝槽的側壁和底壁接觸，所述P摻雜區與所述第一級寬溝槽的底壁接觸； 位于所述第二外延層遠離所述襯底一側并與所述N摻雜區接觸的柵氧層； 位于所述柵氧層遠離所述襯底一側的多晶硅層； 位于所述多晶硅層表面的阻擋層； 位于所述P摻雜區和所述N摻雜區表面的歐姆接觸層； 位于所述阻擋層和所述歐姆接觸層表面的第一金屬層； 位于所述襯底遠離所述第一外延層一側表面的第二金屬層； 其中，所述柵氧層的側壁、所述多晶硅層的側壁以及所述第一級寬溝槽的側壁相平齊，所述阻擋層延伸至所述第一級寬溝槽的底壁，并同時覆蓋所述多晶硅層的側壁、所述柵氧層的側壁以及所述第一級寬溝槽的側壁。

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