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龍圖騰網獲悉湖南大學申請的專利功率半導體芯片回流焊方法及系統獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120184025B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510654508.1，技術領域涉及：H01L21/60；該發明授權功率半導體芯片回流焊方法及系統是由楊鑫;韋怡雷設計研發完成，并于2025-05-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本功率半導體芯片回流焊方法及系統在說明書摘要公布了：本發明提供一種功率半導體芯片回流焊方法及系統。功率半導體芯片回流焊方法包括：將待焊接的功率半導體芯片放置于回流爐中，且令待焊接的功率半導體芯片與焊料貼合；執行加熱操作；執行抽氣操作；執行冷卻操作；將功率半導體模塊取出。執行第i次抽氣后達到氣壓值Pi；兩次抽氣操作間隔時間取值范圍為[3s，10s]；2≤N≤4；P1取值范圍為[40000Pa，65000Pa]；PN取值范圍為[50Pa，45000Pa]；P1＞P2＞……＞PN；第1次、第2次、……、第N?1次抽氣操作使得回流爐內氣壓下降幅值取值范圍均為[1000Pa，60000Pa]。

本發明授權功率半導體芯片回流焊方法及系統在權利要求書中公布了：1.一種功率半導體芯片回流焊方法，包括如下步驟： 步驟S1：將待焊接的功率半導體芯片放置于回流爐中，且令待焊接的功率半導體芯片與陶瓷覆銅基板上的焊料貼合； 步驟S2：執行加熱操作，使回流爐內溫度達到焊接溫度； 步驟S3：執行抽氣操作，且使回流爐內溫度保持為焊接溫度，從而實現功率半導體芯片的焊接，得到功率半導體模塊； 步驟S4：執行冷卻操作； 步驟S5：將功率半導體模塊取出； 其特征在于：步驟S3中執行抽氣操作的具體操作為： 執行N次抽氣操作；執行第i次抽氣操作后，使得回流爐內氣壓達到氣壓值Pi；且在執行兩次抽氣操作之間的間隔時間△T的取值范圍為[3s，10s]； 1≤i≤N；N的取值范圍為[2，4]；P1＞P2＞……＞PN；P1的取值范圍為[40000Pa，65000Pa]；PN的取值范圍為[50Pa，45000Pa]；從執行第1次抽氣操作到執行第N-1次抽氣操作，執行每次抽氣操作使得回流爐內氣壓下降幅值的取值范圍均為[1000Pa，60000Pa]； 步驟S3中，根據芯片焊料層的目標空洞率，確定N的取值、執行每次抽氣操作后回流爐內氣壓達到的氣壓值、△T的取值；所述芯片焊料層形成于功率半導體芯片與陶瓷覆銅基板之間。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人湖南大學，其通訊地址為：410082 湖南省長沙市岳麓區麓山南路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。