合肥晶合集成電路股份有限公司宋富冉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利嵌入式存儲結構、阻變存儲器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120152298B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510631459.X，技術領域涉及：H10B63/00；該發明授權嵌入式存儲結構、阻變存儲器及其制備方法是由宋富冉;周儒領設計研發完成，并于2025-05-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本嵌入式存儲結構、阻變存儲器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種嵌入式存儲結構、阻變存儲器及其制備方法，屬于半導體領域，本發明首先在第一半導體結構的層間介質層上制備第一金屬間電介質層；在第一金屬間電介質層內制備第一金屬線路和第一電極板；繼續制備第一阻擋層；采用蝕刻工藝打開第一電極板一側區域的第一金屬間電介質形成第一凹槽；依次沉積阻變材料和導電金屬材料；平坦化并停留在第一阻擋層上，得到嵌入式存儲結構。本發明通過全新的工藝順序制備了改變電極板方位的阻變存儲單元，以此結構制備阻變存儲器，使得阻變式阻變存儲器整體緊湊，也可以兼容現有技術中MOS制程。經過仿真驗證，本發明可靠性、可操作性強，具有較高的制作良率。
本發明授權嵌入式存儲結構、阻變存儲器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種嵌入式存儲結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 提供第一半導體結構，第一半導體結構上具有層間介質層； 在層間介質層上制備第一金屬間電介質層； 在第一金屬間電介質層內制備第一金屬線路、第一電極板； 在第一金屬間電介質層上制備第一阻擋層； 采用蝕刻工藝打開第一電極板一側區域的第一金屬間電介質形成第一凹槽； 在第一凹槽內填充阻變材料； 在阻變材料上沉積導電金屬材料，直至將第一凹槽填滿； 以第一阻擋層作為停止層，采用平坦化工藝對阻變材料和導電金屬材料進行平坦化并停留在第一阻擋層上，得到第二電極板和阻變層，第一電極板和與其相鄰的阻變層、第二電極板構成一個阻變單元； 通過選擇第一凹槽和第一電極板的相對方位，使得相鄰兩個阻變單元的第一電極板相鄰設置，兩個相鄰第一電極板共用一根極板引線引出；所述第一金屬線路包括源極引線和漏極引線。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區合肥綜合保稅區內西淝河路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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