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龍圖騰網獲悉哈爾濱工業大學(深圳)(哈爾濱工業大學深圳科技創新研究院)申請的專利一種P型AlN多晶薄膜低溫合成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120099636B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510597540.0，技術領域涉及：C30B28/14；該發明授權一種P型AlN多晶薄膜低溫合成方法是由李瑨;劉航;黃一凡;白博文;簡劼;柏賀達設計研發完成，并于2025-05-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種P型AlN多晶薄膜低溫合成方法在說明書摘要公布了：本發明主要提出一種P型AlN多晶薄膜低溫合成方法，包括以下步驟：步驟1：襯底預處理，提供單晶耐高溫襯底，對其進行表面預處理；步驟2：在襯底上通過磁控濺射沉積AlN薄膜；步驟3：對AlN薄膜進行Mg離子注入；步驟4：重復步驟2和步驟3直至達到目標AlN薄膜厚度；步驟5：對AlN多層薄膜進行退火處理。本發明有益效果在于可實現AlN的低溫合成，降低生產成本，同時實現AlN高效、均勻的P型摻雜。

本發明授權一種P型AlN多晶薄膜低溫合成方法在權利要求書中公布了：1.一種P型AlN多晶薄膜低溫合成方法，其特征在于，包括以下步驟： 步驟1：襯底預處理，選取單晶耐高溫襯底，通過HF酸清洗去除表面氧化層，并進行超聲清洗與脫水烘干； 步驟2：磁控濺射沉積AlN薄膜，將所述襯底置于磁控濺射設備中，在真空條件下通入Ar與N2混合氣體，采用Al靶材進行反應濺射，合成AlN多晶薄膜； 步驟3：Mg離子注入，將沉積后的AlN薄膜轉移至離子注入設備中，在真空條件下進行Mg離子注入，調節離子能量、束流強度及注入劑量； 步驟4：循環沉積與注入，重復所述步驟2及所述步驟3，直至達到目標AIN薄膜厚度； 步驟5：高溫退火處理，將所述步驟4處理后的樣品疊放于坩堝中，在N2氣氛下進行退火，保溫后隨爐緩冷至室溫； 所述步驟2中，磁控濺射設備的真空腔室真空度≤1×10?3Pa，Ar與N2混合氣體流量比為10:1~5:1，Al靶材濺射功率為180~250W，工作氣壓0.4~0.5Pa，調控襯底溫度為300～500℃； 所述步驟3中，離子注入設備真空度≤1×10-4Pa，加熱溫度為300~500℃，離子注入能量為50~200keV，束流強度為1~100mA，注入劑量為1.0×1013~1.0×1015個原子cm2。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人哈爾濱工業大學(深圳)(哈爾濱工業大學深圳科技創新研究院)，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市南山區桃源街道深圳大學城哈爾濱工業大學校區；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。