TCL華星光電技術有限公司胡靖源獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉TCL華星光電技術有限公司申請的專利陣列基板及顯示面板獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115020620B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210815237.X，技術領域涉及：H10K50/81；該發明授權陣列基板及顯示面板是由胡靖源;武凡靖;胡威威設計研發完成，并于2022-07-11向國家知識產權局提交的專利申請。
本陣列基板及顯示面板在說明書摘要公布了：本發明提供了一種陣列基板及顯示面板，陣列基板包括：襯底；薄膜晶體管電路層，設于所述襯底上，包括薄膜晶體管；平坦化層，設于所述薄膜晶體管電路層上；第一電極，設于所述平坦化層上，通過貫穿所述平坦化層的過孔，與所述薄膜晶體管電連接；其中，所述第一電極為第一膜層第二膜層第三膜層的疊層結構，所述第一膜層與所述平坦化層接觸設置，所述第二膜層與所述平坦化層間隔設置，在高溫條件下，所述第一膜層相對于所述平坦化層為惰性。本發明通過在第一電極內增設第一膜層結構，在高溫制程中，第一電極便不會與平坦化層中的水汽反應，從而避免了氫離子的產生，進而避免了薄膜晶體管的有源層被氫離子還原，而造成薄膜晶體管典型負漂的問題。
本發明授權陣列基板及顯示面板在權利要求書中公布了：1.一種陣列基板，其特征在于，包括： 襯底； 薄膜晶體管電路層，設于所述襯底上，包括薄膜晶體管； 平坦化層，設于所述薄膜晶體管電路層上； 第一電極，設于所述平坦化層上，通過貫穿所述平坦化層的過孔，與所述薄膜晶體管電連接，所述第一電極延伸至所述平坦化層的過孔內；其中， 所述第一電極為第一膜層第二膜層第三膜層的疊層結構，所述第一膜層與所述平坦化層接觸設置，所述第二膜層與所述平坦化層間隔設置，在高溫條件下，所述第一膜層相對于所述平坦化層為惰性，以使所述第一電極不與所述平坦化層中的水汽反應而產生氫離子； 所述第一膜層的材料為鉬鈦鎳合金；所述第二膜層的材料為鋁鎳銅鑭合金；所述第三膜層背離所述第二膜層的表面為鈍化表面； 所述第二膜層的厚度為1000埃-3000埃，所述第三膜層的厚度為50埃-200埃。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人TCL華星光電技術有限公司，其通訊地址為：518132 廣東省深圳市光明新區塘明大道9-2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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