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龍圖騰網獲悉蘇州大學申請的專利一種Micro-LED器件制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115274939B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210731564.7，技術領域涉及：H10H20/01；該發明授權一種Micro-LED器件制備方法是由曹冰;楊帆;蔡鑫設計研發完成，并于2022-06-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種Micro-LED器件制備方法在說明書摘要公布了：本申請提供一種Micro?LED器件制備方法。該方法針對利用干法刻蝕制備Micro?LED晶粒結構引發的產生側壁損傷的問題進行改進。提出使用四甲基氫氧化銨化學腐蝕和側壁鈍化相結合的方式對其進行側壁修復，能沿縱向腐蝕完Micro?LED側壁的非晶區，沿橫向Micro?LED結構破壞性較弱，腐蝕后的樣品側壁晶格完整且側壁垂直；Micro?LED晶粒形成之后，通過激光共聚焦顯微鏡與光致發光光譜相結合的光學評價方式對其進行早期性能評估，在封裝之后對Micro?LED器件的電學性能進行測試，將電學性能測試結果與早期發光性能評估相對照。本申請實能有效處理Micro?LED側壁損傷層，豎直化Micro?LED側壁，解決干法刻蝕后側壁傾斜導致的量子阱上下區域面積不一致的問題。

本發明授權一種Micro-LED器件制備方法在權利要求書中公布了：1.一種Micro-LED器件制備方法，其特征在于，包括如下步驟： S1.基于干法刻蝕工藝在LED外延片上制備隔離槽，形成Micro-LED晶粒， 所述LED外延片包括襯底層，襯底層上表面依次沉積無摻雜層、N型層、量子阱層、P型層；所述隔離槽的深度至少深至N型層； S2.將S1制得的Micro-LED晶粒置于四甲基氫氧化銨溶液中，以修復干法刻蝕工藝引起的隔離槽的側壁損傷； S3.在S2四甲基氫氧化銨溶液處理之后的Micro-LED晶粒的邊緣及側壁蒸鍍絕緣鈍化層； S4.利用激光共聚焦顯微鏡對Micro-LED晶粒的質量進行早期發光性能評估，再通過光致發光光譜測試Micro-LED晶粒表面各點的發光強度； S5.使用光刻工藝刻蝕掉Micro-LED晶粒表面的絕緣鈍化層并露出P型層的上表面，并利用蒸鍍工藝在露出P型層表面制備電流擴展層； S6.使用濺射工藝在Micro-LED晶粒表面制備陰陽電極，從而得到Mciro-LED芯片； S7.將S6制得的Mciro-LED芯片進行封裝，從而獲得Micro-LED器件，所述S7中還包括對Micro-LED器件的電學性能進行測試，將電學性能測試結果與早期發光性能評估相對照，以分析評估Micro-LED芯片損傷的因素發生源，其中，早期發光性能評估操包括： 使用激光共聚焦顯微鏡對經四甲基氫氧化銨溶液處理和側壁鈍化后的Micro-LED晶粒進行發光性能測試； 光源發出的光經準直擴束鏡后入射至分光鏡，被分光鏡反射的光束透過物鏡后在物鏡的焦平面上形成匯聚點， Micro-LED晶粒放置于物鏡的焦平面處，物鏡對Micro-LED晶粒進行逐點掃描，掃描過程中樣品被測Micro-LED晶粒受激發后產生熒光，熒光依次透過物鏡、分光鏡后經小孔濾波器入射至光電倍增管，光電倍增管中的信號經處理后形成被測Micro-LED晶粒的圖像，通過對焦平面上每一個Micro-LED晶粒逐點掃描構成一組完整的Micro-LED晶粒共聚焦圖像。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州大學，其通訊地址為：215104 江蘇省蘇州市相城區濟學路8號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。