華燦光電(浙江)有限公司蘭葉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華燦光電(浙江)有限公司申請的專利改善分揀損傷的發光二極管芯片及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115274967B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210482162.8，技術領域涉及：H10H20/84；該發明授權改善分揀損傷的發光二極管芯片及其制備方法是由蘭葉;王江波;朱廣敏設計研發完成，并于2022-05-05向國家知識產權局提交的專利申請。
本改善分揀損傷的發光二極管芯片及其制備方法在說明書摘要公布了：本公開提供了一種改善分揀損傷的發光二極管芯片及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管芯片包括：基板、發光結構、第一電極、第二電極和鈍化層；發光結構層疊于基板上，第一電極和第二電極位于發光結構遠離基板的表面，鈍化層位于發光結構遠離基板的表面，鈍化層包括相連的頂針部分和周圍部分，周圍部分圍繞頂針部分，且周圍部分覆蓋第一電極和第二電極，頂針部分位于第一電極和第二電極之間；頂針部分包括氮化硅層，氮化硅層遠離基板的表面的粗糙度高于周圍部分遠離基板的表面的粗糙度。本公開實施例能改善分選芯片時芯片的外延結構易被頂裂的問題。
本發明授權改善分揀損傷的發光二極管芯片及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種改善分揀損傷的發光二極管芯片，其特征在于，所述發光二極管芯片包括：基板10、發光結構20、第一電極31、第二電極32和鈍化層40； 所述發光結構20層疊于所述基板10上，所述第一電極31和所述第二電極32位于所述發光結構20遠離所述基板10的表面，所述鈍化層40位于所述發光結構20遠離所述基板10的表面，所述鈍化層40包括相連的頂針部分41和周圍部分42，所述周圍部分42圍繞所述頂針部分41，且所述周圍部分42覆蓋所述第一電極31和所述第二電極32，所述頂針部分41位于所述第一電極31和所述第二電極32之間； 所述頂針部分41包括氮化硅層410，所述氮化硅層410遠離所述基板10的表面的粗糙度高于所述周圍部分42遠離所述基板10的表面的粗糙度，所述氮化硅層410包括依次層疊在所述發光結構20的表面上的第一子層411和第二子層412，所述第一子層411的致密度高于所述第二子層412的致密度，所述第一子層411的厚度大于所述第二子層412的厚度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華燦光電(浙江)有限公司，其通訊地址為：322000 浙江省金華市義烏市蘇溪鎮蘇福路233號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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