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龍圖騰網(wǎng)獲悉華為技術(shù)有限公司申請的專利存儲器及信號處理方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN110415748B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201810399279.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G11C11/419；該發(fā)明授權(quán)存儲器及信號處理方法是由季秉武;趙坦夫;周云明;樊敏;李志彥;王云鵬設(shè)計研發(fā)完成，并于2018-04-27向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本存儲器及信號處理方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種存儲器及信號處理方法。該存儲器包括：鎖存電路、譯碼電路、存儲陣列、讀電路和寫電路。其中，存儲陣列包括M行N列位單元，每1個位單元用于存儲1比特數(shù)據(jù)，位單元包括第一端口和第二端口；鎖存電路用于接收第一地址、第二地址；譯碼電路用于根據(jù)第一地址確定第一位單元、根據(jù)第二地址確定第二位單元；寫電路用于接收數(shù)據(jù)，并通過第一位單元的第一端口向第一位單元寫入數(shù)據(jù)；讀電路用于通過第一位單元的第一端口讀出第一位單元存儲的數(shù)據(jù)，還用于通過第二位單元的第二端口讀出第二位單元存儲的數(shù)據(jù)。實施本申請，能夠?qū)崿F(xiàn)1R1RW功能。

本發(fā)明授權(quán)存儲器及信號處理方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種存儲器，其特征在于，包括：鎖存電路、譯碼電路、存儲陣列、讀電路和寫電路，所述鎖存電路連接所述譯碼電路，所述存儲陣列連接所述譯碼電路、所述讀電路和所述寫電路，所述讀電路包括：第一靈敏放大器和第二靈敏放大器，所述第一靈敏放大器為SA，所述第二靈敏放大器為ASA，其中， 所述存儲陣列包括M行N列位單元，每1個位單元用于存儲1比特數(shù)據(jù)，所述位單元包括第一端口和第二端口； 所述存儲陣列第i行第j列的位單元包括8個MOS管M1-M8，M1、M3、M5、M6、M7和M8為N-MOS管，M2和M4為P-MOS管，其中， M2的源極和M4的源極連接高電平，M1的源極和M3的源極接低電平； M6的源極、M2的柵極、M1的柵極、M4的漏極和M3的漏極連接； M5的源極、M4的柵極、M3的柵極、M2的漏極和M1的漏極連接； M5的柵極和M6的柵極連接第j根讀寫字線；M5的漏極連接第i根正位線，M6的漏極連接第i根反位線；M8的柵極連接第j根讀字線，M8的漏極連接第i根讀位線； M8的源極和M7的漏極連接，M7的源極接低電平； 其中，所述第一靈敏放大器的第一輸入端連接所述第i根正位線，第二輸入端連接所述第i根反位線； 其中，所述第二靈敏放大器的輸入端連接所述第i根讀位線； 其中，1≤i≤M，1≤j≤N，i、j為正整數(shù)；所述第i根正位線、所述第i根反位線和所述第j根讀寫字線構(gòu)成所述第一端口，所述第i根讀位線和所述第j根讀字線構(gòu)成所述第二端口； 所述鎖存電路用于接收第一地址、第二地址； 所述譯碼電路用于根據(jù)所述第一地址在M*N個位單元中確定第一位單元，還用于根據(jù)所述第二地址在所述M*N個位單元中確定第二位單元； 所述寫電路用于接收數(shù)據(jù)，并通過所述第一位單元的第一端口，向所述第一位單元寫入接收到的所述數(shù)據(jù)； 所述讀電路用于通過所述第一靈敏放大器，對所述第一輸入端和所述第二輸入端接收到的電壓的差值進(jìn)行放大處理后，通過所述第一靈敏放大器的輸出端輸出，所述讀電路還用于通過所述第二靈敏放大器，對所述第二靈敏放大器的輸入端接收到的電壓進(jìn)行放大處理后，通過所述第二靈敏放大器的輸出端輸出。

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