福建省晉華集成電路有限公司張欽福獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉福建省晉華集成電路有限公司申請的專利半導體存儲裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114784005B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210229784.X，技術領域涉及：H10B12/00；該發明授權半導體存儲裝置是由張欽福;童宇誠設計研發完成，并于2022-03-10向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體存儲裝置在說明書摘要公布了：半導體存儲裝置，包括陣列區以及圍繞著陣列區的周圍區。陣列區包括多個有源區以及位于有源區之間的第一絕緣層。周圍區包括周圍結構、圍繞著周圍結構的第二絕緣層，以及圍繞著第二絕緣層的第三絕緣層。至少一埋入式字線，延伸穿過陣列區及周圍區，其中埋入式字線切過第二絕緣層的部分包括頸部輪廓，為埋入式字線沿線的最高電阻值處。當半導體存儲裝置包括多條埋入式字線，本發明可使埋入式字線之間具有較一致的電阻值及信號延遲時間。
本發明授權半導體存儲裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體存儲裝置，其特征在于，包括： 一陣列區，包括多個有源區，以及一第一絕緣層的第一部分位于所述多個有源區之間； 圍繞所述陣列區的一周圍區，包括： 一周圍結構； 一第二絕緣層，圍繞所述周圍結構；以及 第一絕緣層的第二部分，設置在所述周圍結構和所述第二絕緣層之間，其中所述周圍結構和所述第二絕緣層通過所述第一絕緣層的第二部分隔開； 一第三絕緣層，圍繞所述第二絕緣層；以及 至少一埋入式字線，延伸穿過有源區、所述第一絕緣層的第一部分、所述第二絕緣層、所述第一絕緣層的第二部分，從平面圖看，所述埋入式字線切過所述第二絕緣層的部分包括一頸部輪廓。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人福建省晉華集成電路有限公司，其通訊地址為：362200 福建省泉州市晉江市集成電路科學園聯華大道88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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