深圳市奮達科技股份有限公司肖勇獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉深圳市奮達科技股份有限公司申請的專利一種負離子美發器獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN113576137B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202111049301.X,技術領域涉及:A45D1/08;該發明授權一種負離子美發器是由肖勇;張三平;魏綿嘉設計研發完成,并于2021-09-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種負離子美發器在說明書摘要公布了:本發明公開了一種負離子美發器,包括:負離子發生器以及相對開合設置的第一夾板和第二夾板;第一夾板和第二夾板中的至少一者設置有通槽,負離子發生器的噴射口與通槽連通,且負離子發生器噴射的負離子經通槽直接噴射至頭發表面或負離子發生器噴射的負離子相互對撞后噴射至頭發表面。本發明提供的負離子美發器在使用的過程中,負離子可以直接通過通槽噴射至被夾緊的頭發的表面,或者對撞之后以地毯式覆蓋至被夾緊的頭發表面,避免了負離子噴射過程中被阻擋,使頭發與負離子充分接觸,提高了負離子的噴射效果。
本發明授權一種負離子美發器在權利要求書中公布了:1.一種負離子美發器,其特征在于,包括:負離子發生器4以及相對開合設置的第一夾板1和第二夾板2; 所述第一夾板1和所述第二夾板2中的至少一者設置有通槽3,所述負離子發生器4的噴射口411與所述通槽3連通,且所述負離子發生器4噴射的負離子經所述通槽3直接噴射至頭發101表面或所述負離子發生器4噴射的所述負離子相互對撞后噴射至所述頭發101表面; 所述噴射口411的數量為至少兩個,且存在至少兩個所述噴射口411所噴射的所述負離子在所述通槽3內對撞后噴射至所述頭發101表面; 所述第一夾板1包括間隔設置的第一加熱板11、第二加熱板12以及用于固定所述第一加熱板11和所述第二加熱板12的加熱板殼體14,所述加熱板殼體14設置有用于限制所述負離子噴出方向的導向孔141; 所述通槽3設置于所述第一加熱板11與所述第二加熱板12之間、且沿所述第一夾板1的長度方向設置。
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