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龍圖騰網(wǎng)獲悉西安電子科技大學(xué)申請(qǐng)的專利一種β-Ga₂O₃薄膜的制備方法及β-Ga₂O₃薄膜獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113871303B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202110939569.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/365；該發(fā)明授權(quán)一種β-Ga₂O₃薄膜的制備方法及β-Ga₂O₃薄膜是由張雅超;張濤;馮倩;張進(jìn)成;馬佩軍;郝躍設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-08-16向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種β-Ga₂O₃薄膜的制備方法及β-Ga₂O₃薄膜在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明公開(kāi)了一種β?Ga2O3薄膜的制備方法及β?Ga2O3薄膜，該方法包括：選取具有一定偏角范圍的偏角襯底；對(duì)所述偏角襯底進(jìn)行退火處理；在所述偏角襯底上外延生長(zhǎng)第一β?Ga2O3層；采用脈沖式生長(zhǎng)法在所述第一β?Ga2O3層上外延生長(zhǎng)第二β?Ga2O3層，以得到β?Ga2O3薄膜。本發(fā)明通過(guò)采用偏角襯底提高了外延薄膜平整度；同時(shí)配合脈沖式生長(zhǎng)法極大地降低了薄膜表面的粗糙度，提升了β?Ga2O3薄膜質(zhì)量。

本發(fā)明授權(quán)一種β-Ga₂O₃薄膜的制備方法及β-Ga₂O₃薄膜在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種β-Ga2O3薄膜的制備方法，其特征在于，包括： 選取具有一定偏角范圍的偏角襯底； 對(duì)所述偏角襯底進(jìn)行退火處理； 在所述偏角襯底上外延生長(zhǎng)第一β-Ga2O3層； 采用脈沖式生長(zhǎng)法在所述第一β-Ga2O3層上外延生長(zhǎng)第二β-Ga2O3層，以得到β-Ga2O3薄膜； 其中，對(duì)所述偏角襯底進(jìn)行退火處理包括：將所述偏角襯底放入低壓MOCVD反應(yīng)室中，其中，氧氣氛圍設(shè)置為氧氣流量為1000-1500sccm，溫度為900-950℃，反應(yīng)室壓力為35-45Torr；將所述偏角襯底在上述氧氣氛圍下熱退火20-30min； 在所述偏角襯底上外延生長(zhǎng)第一β-Ga2O3層包括：在對(duì)β-Ga2O3襯底進(jìn)行退火處理后，設(shè)置工藝條件如下：將反應(yīng)室溫度降低為700-850℃，并保持反應(yīng)室內(nèi)壓力為35-45Torr；同時(shí)打開(kāi)Ga源和O2氣路，并調(diào)整Ga源流量為35-40sccm，O2流量為1800-2100sccm；在上述工藝條件下，在所述偏角襯底上外延生長(zhǎng)β-Ga2O3薄膜，以形成第一β-Ga2O3層；其中，生長(zhǎng)時(shí)間為50-60min； 采用脈沖式生長(zhǎng)法在所述第一β-Ga2O3層上外延生長(zhǎng)第二β-Ga2O3層，包括：保持其他生長(zhǎng)參數(shù)不變，切換薄膜生長(zhǎng)方式為脈沖法，并調(diào)整Ga源和O2的脈沖時(shí)間比為1:1-1:3；生長(zhǎng)30-50個(gè)循環(huán)周期，以在所述第一β-Ga2O3層上形成第二β-Ga2O3層。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人西安電子科技大學(xué)，其通訊地址為：710000 陜西省西安市雁塔區(qū)太白南路2號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。