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龍圖騰網獲悉南開大學申請的專利一種基于PIN異質結兩端人工突觸及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114122260B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110893895.6，技術領域涉及：H10K30/60；該發明授權一種基于PIN異質結兩端人工突觸及其制備方法是由徐文濤;龔江東;衛歡歡設計研發完成，并于2021-08-05向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于PIN異質結兩端人工突觸及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明為一種基于PIN異質結兩端人工突觸及其制備方法。該人工突觸的結構包括：襯底上部分分布有電子傳輸層，電子傳輸層上依次為光吸收層和空穴傳輸層；襯底上的非電子傳輸層部分和空穴傳輸層上的部分表面還覆蓋有金屬層；所述空穴傳輸層為噻吩類聚合物。本發明的人工突觸光照時通過在右側頂電極施加正負極性的電壓刺激產生與光生電流同向和反向的電流，利用二者的疊加作用，可分別實現增強和抑制兩種不同的光響應。

本發明授權一種基于PIN異質結兩端人工突觸及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基于PIN異質結兩端人工突觸，其特征為所述的人工突觸的結構包括：襯底上部分分布有電子傳輸層，電子傳輸層上依次為光吸收層和空穴傳輸層；襯底上的非電子傳輸層部分和空穴傳輸層上的部分表面還覆蓋有金屬層； 所述襯底為玻璃材質；所述電子傳輸層為二元金屬氧化物；所述光吸收層為鈣鈦礦材料；所述空穴傳輸層為噻吩類聚合物；所述的金屬層分為左金屬電極和右金屬電極，材質均為金，左電極為襯底表面電極，右電極為空穴傳輸層表面電極； 所述的襯底為石英玻璃硅片或氧化銦錫導電玻璃； 所述電子傳輸層為二元金屬氧化物，包括但不限于氧化錫、氧化鋅、氧化鈦中的任意一種； 所述光吸收層為具有ABX3通式的鈣鈦礦材料，其中A包括但不限于銫、甲胺、甲脒中的任意一種；B包括但不限于鉛、錫、鋅、鉀中的任意一種；X包括但不限于氯、溴、碘中的任意一種； 所述空穴傳輸層包括但不限于聚噻吩、聚3己基噻吩、聚3溴己基噻吩中的任意一種； 所述的所述的基于PIN異質結兩端人工突觸的制備方法，該方法包括如下步驟： 1將襯底依次經去離子水、丙酮和異丙醇超聲清洗，然后用氮氣將襯底表面吹干，放入紫外清洗機中處理15-20分鐘； 2在空氣環境中，將二氧化錫氨水溶液滴加到步驟1的襯底上，然后利用勻膠機以3000-5000轉每分鐘的速度旋涂20-40秒，然后將襯底放置加熱板上，在130-180℃下加熱20-40分鐘，得到電子傳輸層； 其中，所述的二氧化錫氨水溶液是由15％-20％質量分數的二氧化錫水膠體分散液和氨含量10％-35％的氨水按照1比2-4的體積比混合而成；每2-4平方厘米襯底滴加80-100微升二氧化錫氨水溶液； 3在手套箱中，將MAPbI3前驅體溶液滴加到步驟2獲得的電子傳輸層上，利用勻膠機以3000-5000轉每分鐘的速度旋涂50-80秒，結束后直接獲得鈣鈦礦薄膜； 其中，所述的MAPbI3前驅體溶液是由甲基碘化銨MAI和碘化鉛PbI2按照摩爾比1比1-1.5的比例加入到混合溶液中，攪拌后獲得濃度為1-1.2摩爾每毫升的MAPbI3前驅體溶液；所述的混合溶液為甲胺乙醇和乙腈按照體積比為1：0.5～1混合而得；每2-4平方厘米電子傳輸層滴加80-100微升MAPbI3前驅體溶液； 4將P3HT前驅體溶液滴加到步驟3的鈣鈦礦薄膜上，利用勻膠機以2000-3000轉每分鐘的速度旋涂20-40秒，然后將襯底放置加熱板上，在500-100℃下加熱5-20分鐘，得到空穴傳輸層； 其中，所述的P3HT前驅體溶液是由氯苯溶劑加入到聚3己基噻吩P3HT中，然后攪拌獲得，濃度為5-10毫克每毫升；每2-4平方厘米鈣鈦礦薄膜滴加60-100微升P3HT前驅體溶液； 5去除覆蓋在襯底上表面部分區域的半導體層，暴露部分襯底；然后通過熱蒸發技術，在襯底表面得到左電極，空穴傳輸層表面得到右電極，最終獲得基于PIN異質結兩端人工突觸； 其中，熱蒸發參數為溫度控制在40-50度，真空度10-3-10-4帕,沉積速率0.8-1埃秒，蒸鍍時間30-40分鐘。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人南開大學，其通訊地址為：300350 天津市津南區海河教育園區同硯路38號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。