深圳鎵芯半導體科技有限公司陳正培獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉深圳鎵芯半導體科技有限公司申請的專利化合物半導體電容器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113690369B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110776042.4，技術領域涉及：H10D1/68；該發明授權化合物半導體電容器件是由陳正培;徐文凱設計研發完成，并于2021-07-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本化合物半導體電容器件在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體制造的技術領域，公開了一種化合物半導體電容器件,所述化合物半導體電容器件包括上極板、下極板和介質層，所述介質層設置于所述上極板和所述下極板之間，所述下極板包括襯底和多個預置外延層，所述預置外延層通過外延淀積工藝設置于所述襯底上；所述介質層設置于所述預置外延層上，所述上極板設置于所述介質層上。由于外延淀積工藝的濃度和阻值穩定，電化學特性不易受影響，因此形成的化合物半導體電容器件的穩定性更好，并且本化合物半導體電容器件無需特定離子的植入，無需額外復晶淀積與復晶腐蝕，使得本化合物半導體電容器件的制造工藝步驟更為簡單，降低了制造工藝成本。
本發明授權化合物半導體電容器件在權利要求書中公布了：1.一種化合物半導體電容器件，所述化合物半導體電容器件包括上極板、下極板和介質層，所述介質層設置于所述上極板和所述下極板之間，其特征在于，所述下極板包括： 襯底； 多個預置外延層，通過外延淀積工藝設置于所述襯底上； 多個所述預置外延層分別為緩沖層、集電極層、基電極層、二維電子氣層和射電極層；所述緩沖層設置于所述襯底上，所述集電極層設置于所述緩沖層上，所述基電極層設置于所述集電極層上，所述二維電子氣層設置于所述基電極層上，所述射電極層設置于所述二維電子氣層上； 所述緩沖層包括AlGaN，所述集電極層包括GaN，所述基電極層包括GaN，所述二維電子氣層包括AlGaN，所述射電極層包括GaN和或InGaN； 所述介質層設置于所述預置外延層上，所述上極板設置于所述介質層上。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳鎵芯半導體科技有限公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市光明區光明街道碧眼社區華強創意產業園4棟B座1006；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號