索泰克公司I·伯特蘭獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉索泰克公司申請的專利制造用于射頻應用的絕緣體上半導體襯底的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114730732B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202180006687.8，技術領域涉及：H01L21/762；該發明授權制造用于射頻應用的絕緣體上半導體襯底的方法是由I·伯特蘭;W·施瓦岑貝格;F·阿利伯特設計研發完成，并于2021-05-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本制造用于射頻應用的絕緣體上半導體襯底的方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種制造用于射頻應用的絕緣體上半導體襯底的方法，該方法包括以下步驟：?提供p摻雜半導體供體襯底1；?在供體襯底上形成犧牲層13；?通過犧牲層13注入原子粒種，以在供體襯底1中形成限定了要轉移的半導體薄層12的弱化區域11；?在注入之后從供體襯底1去除犧牲層13；?提供電阻率大于或等于500Ω.cm的半導體載體襯底2；?在載體襯底2上形成電絕緣層20；?將供體襯底1接合到載體襯底2，半導體薄層12和電絕緣層20在接合界面處；?沿著弱化區域11分離供體襯底1，以將半導體薄層12從供體襯底1轉移到載體襯底2。
本發明授權制造用于射頻應用的絕緣體上半導體襯底的方法在權利要求書中公布了：1.一種制造用于射頻應用的絕緣體上半導體襯底的方法，所述方法包括以下步驟： -提供p摻雜半導體供體襯底1； -在所述供體襯底上形成犧牲層13； -通過所述犧牲層13注入原子粒種，以在所述供體襯底1中形成限定了要轉移的半導體薄層12的弱化區域11； -在所述注入之后從所述供體襯底1去除所述犧牲層13； -提供電阻率大于或等于500Ω.cm的半導體載體襯底2； -在所述載體襯底2上形成電絕緣層20； -將所述供體襯底1接合到所述載體襯底2，所述半導體薄層12和所述電絕緣層20在接合界面處； -沿著所述弱化區域11分離所述供體襯底1，以將所述半導體薄層12從所述供體襯底1轉移到所述載體襯底2，其中，通過阻止摻雜劑原子擴散到所述載體襯底2中，所述絕緣體上半導體襯底即使接近所述電絕緣層20也能夠保持所述載體襯底2的高電阻率。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人索泰克公司，其通訊地址為：法國伯爾寧；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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