旺宏電子股份有限公司賴二琨獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉旺宏電子股份有限公司申請的專利半導體結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115206986B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110445497.8，技術領域涉及：H10B43/35；該發明授權半導體結構是由賴二琨設計研發完成，并于2021-04-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構在說明書摘要公布了：本發明公開了一種半導體結構。其中，該半導體結構包括通道元件。通道元件包括襯底部分以及垂直通道部分。垂直通道部分鄰接在襯底部分上。襯底部分與垂直通道部分皆包括單晶硅。
本發明授權半導體結構在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其中，包括： 一通道元件，包括一襯底部分以及一垂直通道部分，其中該垂直通道部分鄰接在該襯底部分上，該襯底部分與該垂直通道部分皆包括單晶硅，該襯底部分包括一上襯底表面，該垂直通道部分包括一通道側壁表面，一第一柵電極層，在該上襯底表面與該通道側壁表面上；一第一介電層，鄰接在該第一柵電極層的側壁表面與該垂直通道部分的該通道側壁表面之間；一第二柵電極層，在該通道側壁表面上，并在該上襯底表面與該第一柵電極層之間，一第二介電層，連續延伸于第二柵電極層的下表面與側壁表面之間，該第二介電層與該第一介電層具有不同的材料組，且該第二介電層的上表面與該第一介電層連接； 以及一絕緣層，在該第一柵電極層與該第二柵電極層之間，該第二介電層具有一外側壁表面與相對于該外側壁表面的一內側壁表面，該第二介電層的該外側壁表面直接接觸該絕緣層,該第二介電層的該內側壁表面直接接觸該垂直通道部分。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人旺宏電子股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學工業園區力行路16號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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