買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉琳得科株式會社申請的專利半導體裝置制造用片及其制造方法、以及帶膜狀粘合劑的半導體芯片的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114762085B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202180006720.7，技術領域涉及：H01L21/301；該發明授權半導體裝置制造用片及其制造方法、以及帶膜狀粘合劑的半導體芯片的制造方法是由巖屋涉;佐藤陽輔設計研發完成，并于2021-03-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體裝置制造用片及其制造方法、以及帶膜狀粘合劑的半導體芯片的制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體裝置制造用片，其具備基材、粘著劑層、中間層及膜狀粘合劑，所述基材上依次層疊有所述粘著劑層、所述中間層及所述膜狀粘合劑，所述中間層含有重均分子量為20000～100000的非硅類樹脂β1作為主要成分，所述膜狀粘合劑含有液狀的成分α2、或所述粘著劑層含有液狀的成分γ2，在將由所述非硅類樹脂β1構成的厚度為10μm的第一試驗片的霧度設為Hβ、將由所述非硅類樹脂β1與所述成分α2的混合物構成的厚度為10μm的第二試驗片的霧度設為Hβα、將由所述非硅類樹脂β1與所述成分γ2的混合物構成的厚度為10μm的第三試驗片的霧度設為Hβγ時，滿足Hβα?Hβ＞7％或Hβγ?Hβ＞7％。

本發明授權半導體裝置制造用片及其制造方法、以及帶膜狀粘合劑的半導體芯片的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置制造用片，其具備基材、粘著劑層、中間層及膜狀粘合劑， 所述半導體裝置制造用片通過在所述基材上依次層疊所述粘著劑層、所述中間層及所述膜狀粘合劑而構成， 所述中間層含有重均分子量為20000～100000的非硅類樹脂β1作為主要成分， 進一步，至少所述膜狀粘合劑含有成分α2或至少所述粘著劑層含有成分γ2， 所述成分α2在23℃的溫度下為液狀，且不具有與所述膜狀粘合劑所含有的主要成分進行反應的官能團， 所述成分α2為熱固性成分、固化促進劑、偶聯劑、交聯劑、光聚合引發劑或通用添加劑， 所述成分γ2在23℃的溫度下為液狀，且不具有與所述粘著劑層所含有的主要成分進行反應的官能團， 所述成分γ2為能量射線固化性化合物、交聯劑、光聚合引發劑、抗靜電劑、抗氧化劑、軟化劑、填充材料、防銹劑、顏料、染料、敏化劑、增粘劑、反應延遲劑或交聯促進劑， 所述主要成分是指在含有該成分的層或膜中，含量最大且重均分子量為20000以上的成分， 將由所述非硅類樹脂β1構成的厚度為10μm的膜狀的第一試驗片的霧度設為Hβ， 在所述膜狀粘合劑含有所述成分α2的情況下，將由100質量份的所述非硅類樹脂β1與10質量份的所述成分α2的混合物構成的厚度為10μm的膜狀的第二試驗片的霧度設為Hβα，此時，所述Hβα及Hβ滿足下述式X1： X1Hβα-Hβ＞7％， 在所述粘著劑層含有所述成分γ2的情況下，將由100質量份的所述非硅類樹脂β1與10質量份的所述成分γ2的混合物構成的厚度為10μm的膜狀的第三試驗片的霧度設為Hβγ，此時，所述Hβγ及Hβ滿足下述式X2： X2Hβγ-Hβ＞7％。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人琳得科株式會社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。