鎧俠股份有限公司本間莊一獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉鎧俠股份有限公司申請的專利半導體裝置及半導體裝置的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113964045B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110212254.X，技術領域涉及：H01L21/48；該發明授權半導體裝置及半導體裝置的制造方法是由本間莊一設計研發完成，并于2021-02-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置及半導體裝置的制造方法在說明書摘要公布了：一種半導體裝置的制造方法，在具有第一面及與所述第一面相反側的第二面的半導體芯片的所述第一面側形成金屬凸塊，在設置于配線基板的焊盤之上配置所述金屬凸塊，從所述半導體芯片的所述第二面側照射使所述金屬凸塊熔融的第一光，之后停止或者減弱所述第一光的照射，使已熔融的所述金屬凸塊達到凝固點以下，一邊將所述半導體芯片向所述配線基板的方向加壓，一邊從所述半導體芯片的所述第二面側照射使所述金屬凸塊熔融的第二光，之后停止或者減弱所述第二光的照射，使已熔融的所述金屬凸塊達到凝固點以下。
本發明授權半導體裝置及半導體裝置的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置的制造方法，其中， 在具有第一面及與所述第一面相反側的第二面的半導體芯片的所述第一面側形成金屬凸塊， 在設置于配線基板的焊盤之上配置所述金屬凸塊， 不將所述半導體芯片按壓于所述配線基板，從所述半導體芯片的所述第二面側照射使所述金屬凸塊熔融的第一光， 之后停止或者減弱所述第一光的照射，使已熔融的所述金屬凸塊達到凝固點以下， 一邊將所述半導體芯片向所述配線基板的方向加壓，一邊從所述半導體芯片的所述第二面側照射使所述金屬凸塊熔融的第二光， 之后停止或者減弱所述第二光的照射，使已熔融的所述金屬凸塊達到凝固點以下。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人鎧俠股份有限公司，其通訊地址為：日本東京；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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