力晶積成電子制造股份有限公司陳菁華獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉力晶積成電子制造股份有限公司申請的專利非揮發性存儲器元件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113284902B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010146226.8，技術領域涉及：H10B41/00；該發明授權非揮發性存儲器元件及其制造方法是由陳菁華;紀秉辰;游舜淙;林明源;賴漢昭;周志文;徐震球設計研發完成，并于2020-03-05向國家知識產權局提交的專利申請。
本非揮發性存儲器元件及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種非揮發性存儲器元件及其制造方法，其中該非揮發性存儲器元件包括基底、堆疊結構、反熔絲柵極、柵介電層、第一摻雜區與第二摻雜區。堆疊結構形成于基底上，且包括一浮置柵極、一選擇邏輯柵極、一邏輯柵介電層與一多晶硅層間介電質層，其中選擇邏輯柵極設置于所述浮置柵極上，邏輯柵介電層設置于所述浮置柵極與所述基底之間，多晶硅層間介電質層設置于浮置柵極與選擇邏輯柵極之間。反熔絲柵極同樣設置于所述基底上，柵介電層則設置于反熔絲柵極與基底之間。第一摻雜區形成于浮置柵極的一側的基底內。第二摻雜區形成于浮置柵極與反熔絲柵極之間的基底內，且一通道區形成在第二摻雜區與第一摻雜區之間。
本發明授權非揮發性存儲器元件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種非揮發性存儲器元件，所述非揮發性存儲器元件為單次可編程只讀存儲器，其特征在于，包括： 基底； 耐高壓的堆疊結構，形成于所述基底上，所述堆疊結構包括： 浮置柵極； 選擇邏輯柵極，設置于所述浮置柵極上； 邏輯柵介電層，設置于所述浮置柵極與所述基底之間；以及 多晶硅層間介電質層，設置于所述浮置柵極與所述選擇邏輯柵極之間； 反熔絲柵極，設置于所述基底上； 柵介電層，設置于所述反熔絲柵極與所述基底之間； 第一摻雜區，形成于所述浮置柵極的一側的所述基底內；以及 第二摻雜區，形成于所述浮置柵極與所述反熔絲柵極之間的所述基底內，且一通道區形成在所述第二摻雜區與所述第一摻雜區之間。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人力晶積成電子制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學工業園區；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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