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龍圖騰網(wǎng)獲悉無錫華潤上華科技有限公司申請的專利橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114975607B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110187733.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D64/00；該發(fā)明授權(quán)橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件及其制備方法是由李春旭;林峰;金華俊;楊斌;黃宇;黃剛;陳淑嫻;金宏峰設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-02-18向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件及其制備方法，包括：襯底；體區(qū)，具有第一導(dǎo)電類型，形成于襯底中；漂移區(qū)，具有第二導(dǎo)電類型，形成于襯底中，且與體區(qū)相鄰；場板結(jié)構(gòu)，形成于漂移區(qū)上，場板結(jié)構(gòu)靠近體區(qū)的一端的下表面與襯底的上表面齊平，且具有向上延伸的傾斜面，場板結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離體區(qū)的一端的下表面低于襯底的上表面，場板結(jié)構(gòu)的厚度自靠近體區(qū)的一端向遠(yuǎn)離體區(qū)的一端逐漸增加到預(yù)設(shè)值；漏極區(qū)，具有第二導(dǎo)電類型，形成于漂移區(qū)的上表層，且與場板結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離體區(qū)的一端接觸。在不增加下表面低于襯底的上表面的場板結(jié)構(gòu)的長度的同時，使得JEFET區(qū)域的位置形成有厚度逐漸增加的場板結(jié)構(gòu)，提高了器件的可靠性。

本發(fā)明授權(quán)橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括： 襯底； 體區(qū)，具有第一導(dǎo)電類型，形成于所述襯底中； 漂移區(qū)，具有第二導(dǎo)電類型，形成于所述襯底中，且與所述體區(qū)相鄰，所述第二導(dǎo)電類型和所述第一導(dǎo)電類型相反； 場板結(jié)構(gòu)，形成于所述漂移區(qū)上，所述場板結(jié)構(gòu)靠近所述體區(qū)的一端的下表面與所述襯底的上表面齊平，且具有向上延伸的傾斜面，所述場板結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述體區(qū)的一端的下表面低于所述襯底的上表面，所述場板結(jié)構(gòu)的厚度自靠近所述體區(qū)的一端向遠(yuǎn)離所述體區(qū)的一端逐漸增加到預(yù)設(shè)值；所述傾斜面與所述場板結(jié)構(gòu)靠近所述體區(qū)的一端的下表面之間的夾角不小于30度且不大于60度； 漏極區(qū)，具有第二導(dǎo)電類型，形成于所述漂移區(qū)的上表層，且與所述場板結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述體區(qū)的一端接觸； 所述場板結(jié)構(gòu)包括： 第一氧化結(jié)構(gòu)，為所述場板結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述體區(qū)的一端，形成于所述漂移區(qū)上，且所述第一氧化結(jié)構(gòu)的上表面不低于所述襯底的上表面，所述第一氧化結(jié)構(gòu)自體區(qū)向漂移區(qū)的方向依次包括第一端部和第二端部，且所述第一氧化結(jié)構(gòu)的厚度自所述第一端部向所述第二端部逐漸增加到所述預(yù)設(shè)值； 第二氧化結(jié)構(gòu)，形成于靠近所述體區(qū)一側(cè)的所述漂移區(qū)的上表面，且沿所述第一端部的上表面延伸至所述第一端部和所述第二端部的交界處，所述傾斜面為所述第二氧化結(jié)構(gòu)靠近所述體區(qū)的上表面；所述預(yù)設(shè)值為第二端部靠近第一端部一側(cè)的厚度。

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