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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114823902B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110119086.X，技術領域涉及：H10D30/62；該發明授權半導體結構及其形成方法是由周飛設計研發完成，并于2021-01-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，其中方法包括：所述開口暴露出部分第一鰭部、部分第二鰭部和部分第三區，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述開口內的第三區上具有第一隔離結構，所述第一隔離結構包括第一隔離層以及位于第一隔離層上的第二隔離層，所述第一隔離層在所述第二方向上的尺寸大于所述第二隔離層在所述第二方向上的尺寸；在所述開口內第一區上形成第一柵極；在所述開口內第二區上形成第二柵極。所述開口沿所述第二方向上頂部大于底部的尺寸，利于柵極材料在所述開口內的填充，避免所述開口頂部先于所述開口底部提前封閉的情況，提高所形成的第一柵極和第二柵極的性能。

本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 襯底，所述襯底包括基底，所述基底包括第一區、第二區和第三區，所述第三區位于所述第一區和所述第二區之間，且所述第三區兩側分別與所述第一區和所述第二區相鄰，所述襯底還包括位于所述第一區上的若干第一鰭部，以及位于所述第二區上的若干第二鰭部，所述第一鰭部和所述第二鰭部均沿第一方向延伸； 位于襯底上的層間介質層，所述層間介質層內具有沿第二方向自第一區延伸至所述第二區的開口，所述開口暴露出部分第一鰭部、部分第二鰭部和部分第三區，所述第二方向垂直于所述第一方向； 位于所述開口內第三區上的第一隔離結構，所述第一隔離結構包括第一隔離層以及位于第一隔離層上的第二隔離層，所述第一隔離層在所述第二方向上的尺寸大于所述第二隔離層在所述第二方向上的尺寸，所述第一隔離層的厚度大于所述第二隔離層的厚度； 位于所述開口內第一區上的第一柵極，所述第一柵極位于所述第一鰭部的部分側壁和頂部表面； 位于所述開口內第二區上的第二柵極，所述第二柵極位于所述第二鰭部的部分側壁和頂部表面。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。