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      中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司紀(jì)登峰獲國家專利權(quán)

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      龍圖騰網(wǎng)獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN114792733B

      龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202110107070.7,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10D30/62;該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由紀(jì)登峰;金懿設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2021-01-26向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

      半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說明書摘要公布了:一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法,包括:襯底,襯底包括第一區(qū)和第二區(qū),第一區(qū)上具有第一鰭部,第二區(qū)上具有第二鰭部;第一柵極結(jié)構(gòu)、第二柵極結(jié)構(gòu)、第一源漏摻雜層、第二源漏摻雜層和第一介質(zhì)層,第一區(qū)上的第一介質(zhì)層的頂部表面低于第二區(qū)上的第一介質(zhì)層的頂部表面;位于第一區(qū)上的第一介質(zhì)層上的第一阻擋層;第一開口和第二開口,第一開口位于第一阻擋層和第一區(qū)上的第一介質(zhì)層內(nèi),第二開口位于第二區(qū)上的第一介質(zhì)層內(nèi)。由于第一阻擋層的刻蝕速率小于第一介質(zhì)層的刻蝕速率,因此在形成第一開口過程中,通過第一阻擋層消耗一定的刻蝕時(shí)間,使得最終刻蝕第一源漏摻雜層的時(shí)間減少,避免刻蝕穿透第一源漏摻雜層,提升最終形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。

      本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其特征在于,包括: 襯底,所述襯底包括第一區(qū)和第二區(qū),所述第一區(qū)上具有若干相互分立的第一鰭部,所述第二區(qū)上具有若干相互分立的第二鰭部,所述第一鰭部和所述第二鰭部分別沿第一方向延伸; 若干第一柵極結(jié)構(gòu)、若干第二柵極結(jié)構(gòu)、若干第一源漏摻雜層、若干第二源漏摻雜層和第一介質(zhì)層,所述第一柵極結(jié)構(gòu)橫跨所述第一鰭部,相鄰的所述第一柵極結(jié)構(gòu)之間沿所述第一方向具有第一尺寸,所述第二柵極結(jié)構(gòu)橫跨所述第二鰭部,相鄰的所述第二柵極結(jié)構(gòu)之間沿所述第一方向具有第二尺寸,所述第二尺寸小于所述第一尺寸,所述第一源漏摻雜層位于所述第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第一鰭部內(nèi),所述第二源漏摻雜層位于所述第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第二鰭部內(nèi),所述第二源漏摻雜層的厚度大于所述第一源漏摻雜層的厚度,所述第一介質(zhì)層覆蓋所述第一柵極結(jié)構(gòu)和所述第二柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁,且位于所述第一區(qū)上的所述第一介質(zhì)層的頂部表面低于位于所述第二區(qū)上的所述第一介質(zhì)層的頂部表面; 第一阻擋層,所述第一阻擋層位于所述第一區(qū)上的第一介質(zhì)層上; 第一開口和第二開口,所述第一開口位于所述第一阻擋層和所述第一區(qū)上的第一介質(zhì)層內(nèi),所述第一開口暴露出所述第一源漏摻雜層,所述第二開口位于所述第二區(qū)上的第一介質(zhì)層內(nèi),所述第二開口暴露出所述第二源漏摻雜層;其中, 所述第一開口通過刻蝕去除部分所述第一介質(zhì)層和所述第一阻擋層形成,所述第二開口通過刻蝕去除部分所述第一介質(zhì)層形成,所述第一阻擋層的刻蝕速率小于所述第一介質(zhì)層的刻蝕速率。

      如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司,其通訊地址為:201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號(hào);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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