哈欽森技術(shù)股份有限公司D·P·里默獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉哈欽森技術(shù)股份有限公司申請的專利電氣裝置和線圈獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN113396246B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:201980089815.2,技術(shù)領(lǐng)域涉及:C25D5/02;該發(fā)明授權(quán)電氣裝置和線圈是由D·P·里默;K·C·斯旺森;P·F·拉德維希;M·S·朗;P·V·佩薩文托;J·D·斯塔基設計研發(fā)完成,并于2019-11-23向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本電氣裝置和線圈在說明書摘要公布了:本公開提出了電氣裝置和線圈,該電氣裝置包括具有第一表面和第二表面的電介質(zhì)層。所述裝置還包括設置在電介質(zhì)層的第一表面上的第一組高縱橫比電鍍結(jié)構(gòu)和與第一組高縱橫比電鍍結(jié)構(gòu)相反、設置在電介質(zhì)層的第二表面上的第二組高縱橫比電鍍結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明授權(quán)電氣裝置和線圈在權(quán)利要求書中公布了:1.電氣裝置,其包括: 導電基底,所述導電基底被蝕刻,以至少包括第一組跡線; 電介質(zhì)層,所述電介質(zhì)層被設置在所述導電基底上并且具有第一表面和第二表面; 設置在所述電介質(zhì)層的第一表面上的至少第二組跡線; 第一金屬冠部分,所述第一金屬冠部分形成在所述第二組跡線中的每個跡線的至少一部分上,以形成設置在所述電介質(zhì)層的第一表面上的第一組高縱橫比電鍍結(jié)構(gòu); 第二金屬冠部分,所述第二金屬冠部分形成在所述第一組跡線中的每個跡線的至少一部分上,以形成與所述第一組高縱橫比電鍍結(jié)構(gòu)相反、設置在所述電介質(zhì)層的第二表面上的第二組高縱橫比電鍍結(jié)構(gòu)。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人哈欽森技術(shù)股份有限公司,其通訊地址為:美國明尼蘇達州;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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