中芯國際集成電路制造(北京)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司王錦喆獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(北京)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司申請的專利互連電路結構獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114864539B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202110074150.7,技術領域涉及:H01L23/522;該發明授權互連電路結構是由王錦喆設計研發完成,并于2021-01-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本互連電路結構在說明書摘要公布了:本申請提供一種互連電路結構,用于深溝槽電容器,所述深溝槽電容器包括電容溝槽組,包括:前層互連導線,包括:第一前層互連導線,位于所述電容溝槽組的側上方且與所述電容溝槽組的延伸方向相同;多條第二前層互連導線,位于所述電容溝槽組上且在所述電容溝槽組的延伸方向間隔排布,所述第二前層互連導線橫跨所述電容溝槽組且一端與所述第一前層互連導線相連;后層互連導線,位于所述第二前層互連導線和部分所述第一前層互連導線上;若干貫穿導線,排布于所述前層互連導線和后層互連導線之間,形成迂回的互連電路結構。本申請技術方案的互連電路結構可以改善深溝槽電容器在高頻下的性能,提高深溝槽電容器的高頻適配性。
本發明授權互連電路結構在權利要求書中公布了:1.一種互連電路結構,用于深溝槽電容器,所述深溝槽電容器包括電容溝槽組,其特征在于,包括: 前層互連導線,包括: 第一前層互連導線,位于所述電容溝槽組的側上方且與所述電容溝槽組的延伸方向相同; 多條第二前層互連導線,位于所述電容溝槽組上且在所述電容溝槽組的延伸方向間隔排布,所述第二前層互連導線橫跨所述電容溝槽組且一端與所述第一前層互連導線相連; 后層互連導線,位于所述第二前層互連導線和部分所述第一前層互連導線上; 若干貫穿導線,排布于所述前層互連導線和后層互連導線之間,使信號在所述后層互連導線中傳遞的方向與在所述前層互連導線中傳遞的方向相反,形成迂回的互連電路結構。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(北京)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司,其通訊地址為:100176 北京市大興區文昌大道18號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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