中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司李波獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構的形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114823334B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110063830.9，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權半導體結構的形成方法是由李波;潘璋;劉琳;唐睿智設計研發完成，并于2021-01-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構的形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構的形成方法，包括：提供襯底，所述襯底上具有若干相互分立的鰭部結構；在所述襯底上形成若干橫跨所述鰭部結構的第一偽柵極；在所述襯底上形成介質層，所述介質層還位于所述第一偽柵極的側壁上，所述介質層表面暴露出若干所述第一偽柵極頂面；在形成所述介質層后，去除若干所述第一偽柵極，在所述介質層內形成若干柵開口；在所述柵開口內形成第二偽柵極；形成柵隔離結構，并且，所述柵隔離結構在第一方向上貫穿至少1個第二偽柵極，所述第一方向垂直于所述第二偽柵極的延伸方向。從而，提高了半導體結構的性能和可靠性。
本發明授權半導體結構的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括： 提供襯底，所述襯底上具有若干相互分立的鰭部結構； 在所述襯底上形成若干橫跨所述鰭部結構的第一偽柵極； 在所述襯底上形成介質層，所述介質層還位于所述第一偽柵極的側壁上，所述介質層表面暴露出若干所述第一偽柵極頂面； 在形成所述介質層后，去除若干所述第一偽柵極，在所述介質層內形成若干柵開口； 在所述柵開口內形成第二偽柵極； 形成柵隔離結構，并且，所述柵隔離結構在第一方向上貫穿至少1個第二偽柵極，所述第一方向垂直于所述第二偽柵極的延伸方向； 在形成所述柵隔離結構之后，去除柵開口內的所述第二偽柵極；在去除所述第二偽柵極后，在所述柵開口內形成金屬柵極結構。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號