聯華電子股份有限公司陳佳宏獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉聯華電子股份有限公司申請的專利存儲器結構及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114765184B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110041163.4，技術領域涉及：H10B43/35；該發明授權存儲器結構及其制造方法是由陳佳宏;葉宇寰;王泉富設計研發完成，并于2021-01-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本存儲器結構及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種存儲器結構及其制造方法。存儲器結構包括基底、第一介電層、第二介電層、電荷存儲層、氧化物層與導體層。第一介電層設置在基底上。第二介電層設置在第一介電層上。電荷存儲層設置在第一介電層與第二介電層之間。氧化物層位于電荷存儲層的兩末端，且設置在第一介電層與第二介電層之間。導體層設置在第二介電層上。上述存儲器結構可有效地防止電荷流失，進而可提升存儲器元件的數據保存能力與可靠度。
本發明授權存儲器結構及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種存儲器結構，其特征在于，包括： 基底； 第一介電層，設置在所述基底上； 第二介電層，設置在所述第一介電層上； 電荷存儲層，設置在所述第一介電層與所述第二介電層之間； 氧化物層，位于所述電荷存儲層的兩末端，且設置在所述第一介電層與所述第二介電層之間； 導體層，設置在所述第二介電層上；以及 隔離結構，位于所述基底中， 其中所述隔離結構的上表面具有凹陷，且所述凹陷鄰近于所述基底。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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