三星電子株式會(huì)社姜信在獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉三星電子株式會(huì)社申請(qǐng)的專利具有豎直護(hù)板結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN113299659B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202011538276.7,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10B43/27;該發(fā)明授權(quán)具有豎直護(hù)板結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件是由姜信在;李宇城;李正吉;H·崔;韓赫設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2020-12-23向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本具有豎直護(hù)板結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件在說明書摘要公布了:可以提供一種半導(dǎo)體器件,該半導(dǎo)體器件包括:襯底,其包括單元陣列區(qū)和貫通電極區(qū);電極堆疊件,其位于襯底上,并且包括電極;豎直結(jié)構(gòu),其在單元陣列區(qū)內(nèi)穿過電極堆疊件;豎直護(hù)板結(jié)構(gòu),其位于延伸區(qū)內(nèi),并且圍繞貫通電極區(qū);以及絕緣層,其位于由豎直護(hù)板結(jié)構(gòu)限定的周邊內(nèi)部,并且與位于電極同一水平。電極可以包括第一突起,其在平面圖中在豎直護(hù)板結(jié)構(gòu)之間突出。
本發(fā)明授權(quán)具有豎直護(hù)板結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件在權(quán)利要求書中公布了:1.一種半導(dǎo)體器件,包括: 襯底,其包括單元陣列區(qū)和延伸區(qū),所述延伸區(qū)從所述單元陣列區(qū)延伸,并且包括貫通電極區(qū); 電極堆疊件,其位于所述襯底上,所述電極堆疊件包括在所述單元陣列區(qū)中交替堆疊的模制層和電極、以及位于所述延伸區(qū)中的絕緣層; 豎直結(jié)構(gòu),其在所述單元陣列區(qū)內(nèi)穿過所述電極堆疊件;以及 豎直護(hù)板結(jié)構(gòu),其位于所述延伸區(qū)內(nèi),并且穿過所述電極堆疊件,在平面圖中,所述豎直護(hù)板結(jié)構(gòu)圍繞所述貫通電極區(qū), 其中,所述豎直護(hù)板結(jié)構(gòu)中的相鄰的豎直護(hù)板結(jié)構(gòu)之間的距離小于所述豎直結(jié)構(gòu)中的相鄰的豎直結(jié)構(gòu)之間的距離, 其中,所述絕緣層位于由所述豎直護(hù)板結(jié)構(gòu)限定的周邊內(nèi)部,并且所述絕緣層分別與所述電極中的對(duì)應(yīng)電極位于同一水平,并且 其中,在水平截面圖中,所述電極接觸所述絕緣層的界面位于所述豎直護(hù)板結(jié)構(gòu)之間。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人三星電子株式會(huì)社,其通訊地址為:韓國京畿道;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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