西部數據技術公司B·R·約克獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉西部數據技術公司申請的專利用作拓撲絕緣體的鉍銻合金獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114730286B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202080080281.X,技術領域涉及:G06F12/00;該發明授權用作拓撲絕緣體的鉍銻合金是由B·R·約克;黃承業;A·斯普爾;M·格里貝柳克;樂廣設計研發完成,并于2020-12-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本用作拓撲絕緣體的鉍銻合金在說明書摘要公布了:本發明涉及一種SOT設備,該SOT設備包括位于襯底上方的鉍銻摻雜物元素BiSbE合金層。該BiSbE合金層用作拓撲絕緣體。該BiSbE合金層包含鉍、銻和摻雜物元素。該摻雜物元素是非金屬摻雜物元素、金屬摻雜物元素和它們的組合。金屬摻雜物元素的示例包括Ni、Co、Fe、CoFe、NiFe、NiCo、NiCu、CoCu、NiAg、CuAg、Cu、Al、Zn、Ag、Ga、In或它們的組合。非金屬摻雜物元素的示例包括Si、P、Ge或它們的組合。該BiSbE合金層可包括多個BiSb薄片層和一個或多個摻雜物元素薄片層。該BiSbE合金層具有012取向。
本發明授權用作拓撲絕緣體的鉍銻合金在權利要求書中公布了:1.一種自旋軌道扭矩SOT設備,所述SOT設備包括: 襯底;和 鉍銻摻雜物元素BiSbE合金層,所述BiSbE合金層位于所述襯底上方,所述BiSbE合金層具有012取向,所述BiSbE合金層包含, 鉍; 銻;和 至少位于所述BiSbE合金層的頂部邊緣處的一個或多個摻雜物元素薄片層,所述一個或多個摻雜物元素薄片層中的每一個摻雜物元素薄片層包含摻雜物元素,所述摻雜物元素包含選自由非金屬摻雜物元素、金屬摻雜物元素和它們的組合組成的組的材料。
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