中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司張田田獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體器件及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114156229B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010929722.0，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權半導體器件及其形成方法是由張田田;荊學珍;張浩;于海龍;韓靜利;孟晉輝設計研發完成，并于2020-09-07向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件及其形成方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體器件及其形成方法，其方法包括：提供基底，所述基底內形成有接觸孔，所述接觸孔的底部表面暴露出所述基底內的源漏摻雜層的頂部表面；在所述接觸孔的底部和側壁上形成初始阻擋層；在所述初始阻擋層上形成金屬層，所述金屬層覆蓋部分所述初始阻擋層的側壁；在所述金屬層上形成密封層；刻蝕去除所述金屬層未覆蓋的部分所述初始阻擋層，形成所述阻擋層；在金屬層上形成密封層之后，密封層將金屬層很好的保護住，這樣在刻蝕去除金屬層未覆蓋的部分初始阻擋層形成阻擋層的過程中，由于密封層的保護作用，使得金屬層在刻蝕工藝中不會遭到損傷，從而提高了金屬層的形成質量，有助于提高形成的半導體器件的質量和良率。
本發明授權半導體器件及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底內形成有接觸孔，所述接觸孔的底部表面暴露出所述基底內的源漏摻雜層的頂部表面； 在所述接觸孔的底部和側壁上形成初始阻擋層； 在所述初始阻擋層上形成金屬層，所述金屬層覆蓋部分所述初始阻擋層的側壁； 在所述金屬層上形成密封層； 刻蝕去除所述金屬層未覆蓋的部分所述初始阻擋層，形成所述阻擋層； 其中形成所述密封層的步驟包括： 在所述金屬層上形成初始密封層； 對所述初始密封層進行退火處理，在退火處理的過程中同時通入氧氣，在所述金屬層上形成所述密封層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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