三星電子株式會社樸有慶獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉三星電子株式會社申請的專利中介層及包括中介層的半導體封裝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111755410B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911067933.1，技術領域涉及：H01L23/498；該發明授權中介層及包括中介層的半導體封裝是由樸有慶;柳承官;尹玟升;崔允碩設計研發完成，并于2019-11-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本中介層及包括中介層的半導體封裝在說明書摘要公布了：提供一種中介層以及半導體封裝。中介層包括：基礎基底；互連結構，位于基礎基底的頂表面上且包括金屬互連圖案；上鈍化層，位于互連結構上且具有壓縮應力；下鈍化層，位于基礎基底的底表面下面，所述下鈍化層具有比上鈍化層的壓縮應力小的壓縮應力；下導電層，位于下鈍化層下面；以及貫穿電極，穿透基礎基底及下鈍化層。所述貫穿電極將下導電層電連接到互連結構的金屬互連圖案。
本發明授權中介層及包括中介層的半導體封裝在權利要求書中公布了：1.一種中介層，包括： 基礎基底； 互連結構，位于所述基礎基底的頂表面上，所述互連結構包括金屬互連圖案； 連接焊盤，布置在所述互連結構上且電連接到所述互連結構的所述金屬互連圖案； 上鈍化層，位于所述互連結構上，所述上鈍化層具有壓縮應力，所述上鈍化層的底部區域包括氧化硅層，且所述上鈍化層的底表面與所述連接焊盤的底表面共面； 下鈍化層，位于所述基礎基底的底表面下面，所述下鈍化層具有比所述上鈍化層的所述壓縮應力小的壓縮應力； 下導電層，位于所述下鈍化層下面；以及 貫穿電極，穿透所述基礎基底及所述下鈍化層，所述貫穿電極將所述下導電層電連接到所述互連結構的所述金屬互連圖案。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道水原市靈通區三星路129號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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