朗姆研究公司譚忠魁獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉朗姆研究公司申請的專利蝕刻室中的方向性沉積獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112970096B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980072838.2，技術領域涉及：H01L21/311；該發明授權蝕刻室中的方向性沉積是由譚忠魁;謝麗斯;山口葉子;石川靖;帕特里克·蓬那特;鐘成珍;桑軍·帕克;李源哲;崔佳英設計研發完成，并于2019-10-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本蝕刻室中的方向性沉積在說明書摘要公布了：本發明描述了一種用于在蝕刻應用中形成豎直生長掩模的方法。所公開的實施方案包含導入含鎢沉積前體以及一或多種載氣，同時點燃等離子體，以選擇性地在圖案化蝕刻掩模的正特征的場域上沉積鎢而不實質沉積在正特征的側壁上或在圖案化蝕刻掩模下方的目標層的暴露表面上。
本發明授權蝕刻室中的方向性沉積在權利要求書中公布了：1.一種用于處理半導體襯底的方法，其包含： 提供半導體襯底，其具有位于目標層上方的圖案化蝕刻掩模，所述圖案化蝕刻掩模包含間隔開的正特征，每一間隔開的正特征均具有場域和側壁；并且 相對于所述目標層而選擇性地在所述間隔開的正特征的所述場域上沉積豎直生長掩模，其中，豎直生長掩模的沉積包括：所述豎直生長掩模基本不沉積在所述正特征的所述側壁上；以及 使用所述圖案化蝕刻掩模和所述豎直生長掩模作為掩模蝕刻目標層， 其中，所述沉積和所述蝕刻進行一個或多個循環，并且所述豎直生長掩模的所述沉積包括補充豎直生長掩模，以實現所述目標層的連續蝕刻。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人朗姆研究公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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