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龍圖騰網(wǎng)獲悉朗姆研究公司申請(qǐng)的專利用于將蝕刻層蝕刻的方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN112997282B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201980072844.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/311；該發(fā)明授權(quán)用于將蝕刻層蝕刻的方法是由尼基爾·多樂(lè);柳川拓海設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-10-29向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本用于將蝕刻層蝕刻的方法在說(shuō)明書摘要公布了：提供了一種在堆疊件中蝕刻特征的方法，所述堆疊件包括在襯底上的介電材料。在步驟a中，由蝕刻氣體產(chǎn)生蝕刻等離子體，將所述堆疊件暴露于所述蝕刻等離子體，并且部分地蝕刻所述堆疊件中的特征。在步驟b中，在步驟a之后提供原子層沉積工藝以在側(cè)壁上沉積保護(hù)膜。所述原子層沉積工藝包括多個(gè)循環(huán)，其中每個(gè)循環(huán)包括：將所述堆疊件暴露于包含WF6的第一反應(yīng)物氣體中，其中所述第一反應(yīng)物氣體被吸附到所述堆疊件上；以及將所述堆疊件暴露于由第二反應(yīng)物氣體形成的等離子體，其中由所述第二反應(yīng)物氣體形成的所述等離子體與吸附的第一反應(yīng)物氣體反應(yīng)以在所述堆疊件上方形成保護(hù)膜。在步驟c中，至少重復(fù)步驟a?b一次。

本發(fā)明授權(quán)用于將蝕刻層蝕刻的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種在介電層中蝕刻特征的方法，所述介電層包括在襯底上的堆疊件中的硬掩模下方的SiO2，所述硬掩模包括非晶碳、摻雜硼的碳、摻雜硼的硅、摻雜金屬的碳或多晶硅中的一種或多種在，所述方法包括： a由蝕刻氣體產(chǎn)生蝕刻等離子體，將所述堆疊件暴露于所述蝕刻等離子體，并且在等離子體處理室內(nèi)部分地蝕刻所述堆疊件中的特征； b在a之后提供在所述等離子體處理室內(nèi)原位執(zhí)行的原子層沉積工藝以在所述特征的側(cè)壁上沉積保護(hù)膜，所述原子層沉積工藝包括多個(gè)循環(huán)，其中每個(gè)循環(huán)包括： i將所述堆疊件暴露于包含WF6的第一反應(yīng)物氣體，其中所述第一反應(yīng)物氣體被吸附到所述堆疊件上，其中所述將所述堆疊件暴露于所述第一反應(yīng)物氣體在所述第一反應(yīng)物氣體是無(wú)等離子體的時(shí)，將所述堆疊件暴露于所述第一反應(yīng)物氣體；以及 ii將所述堆疊件暴露于由第二反應(yīng)物氣體形成的等離子體，其中由所述第二反應(yīng)物氣體形成的所述等離子體與吸附的第一反應(yīng)物氣體反應(yīng)以在所述堆疊件上方形成保護(hù)膜，其中所述第二反應(yīng)物氣體包括含氧組分以提供氧化，其中所述提供所述原子層沉積工藝還包括將堆疊件溫度保持在150℃以下，并且其中所述特征的側(cè)壁上的所述保護(hù)膜是非保形的且沒(méi)有到達(dá)所述特征的底部；以及 c在所述等離子體處理室內(nèi)至少原位重復(fù)一次a-b。

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