買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉沈陽儀表科學(xué)研究院有限公司申請的專利低應(yīng)力硅基壓力傳感器芯片及加工方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120385443B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號(hào)為：202510887028.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01L1/22；該發(fā)明授權(quán)低應(yīng)力硅基壓力傳感器芯片及加工方法是由任向陽;張治國;李永清;鄭浩;王卉如;何方;劉宏偉;李穎;賈文博;祝永峰;單鶴南;張娜;李昌振;李迎輝;吳東閣;鄒繼鋒;關(guān)維冰;尹萍;白雪松;周聰;肖文英;馮艷敏;李斌設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-06-30向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本低應(yīng)力硅基壓力傳感器芯片及加工方法在說明書摘要公布了：本申請涉及壓力傳感器芯片技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種低應(yīng)力硅基壓力傳感器芯片及加工方法，芯片包括：n型硅襯底、p型壓力敏感電阻、鈍化層、金屬電極層以及鍵合件；p型壓力敏感電阻設(shè)置在n型硅襯底頂部的電阻放置槽內(nèi)；鈍化層包括二氧化硅層和氮化硅層，二氧化硅層設(shè)置在n型硅襯底和p型壓力敏感電阻上，氮化硅層設(shè)置在二氧化硅層上；二氧化硅層和氮化硅層上開設(shè)有電接觸區(qū)和應(yīng)力釋放區(qū)；電接觸區(qū)設(shè)置在p型壓力敏感電阻頂部外端，金屬電極層設(shè)置在電接觸區(qū)上；n型硅襯底底部開設(shè)有硅杯，以使硅杯上方區(qū)域的n型硅襯底構(gòu)成壓力敏感膜片，應(yīng)力釋放區(qū)設(shè)置在壓力敏感膜片的上表面，以解決引入鈍化層影響壓力傳感器芯片的輸出和可靠性的問題。

本發(fā)明授權(quán)低應(yīng)力硅基壓力傳感器芯片及加工方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種低應(yīng)力硅基壓力傳感器芯片，其特征在于，包括：n型硅襯底（1）、p型壓力敏感電阻（2）、鈍化層、金屬電極層（7）以及鍵合件； 所述p型壓力敏感電阻（2）設(shè)置在所述n型硅襯底（1）頂部的電阻放置槽內(nèi)，所述p型壓力敏感電阻（2）與所述n型硅襯底（1）通過PN結(jié)實(shí)現(xiàn)電學(xué)隔離，所述p型壓力敏感電阻（2）的上表面與所述n型硅襯底（1）位于同一平面； 所述鈍化層包括二氧化硅層（3）和氮化硅層（4），所述二氧化硅層（3）設(shè)置在所述n型硅襯底（1）和所述p型壓力敏感電阻（2）上，所述氮化硅層（4）設(shè)置在二氧化硅層（3）上； 所述二氧化硅層（3）和氮化硅層（4）上開設(shè)有電接觸區(qū)（5）和應(yīng)力釋放區(qū)（6）；所述電接觸區(qū)（5）設(shè)置在p型壓力敏感電阻（2）頂部外端，所述金屬電極層（7）設(shè)置在所述電接觸區(qū)（5）上； 所述n型硅襯底（1）底部開設(shè)有硅杯（8），以使所述硅杯（8）上方區(qū)域的n型硅襯底（1）構(gòu)成壓力敏感膜片（9），所述應(yīng)力釋放區(qū)（6）設(shè)置在所述壓力敏感膜片（9）的上表面； 所述鍵合件鍵合于所述n型硅襯底（1）的底部。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人沈陽儀表科學(xué)研究院有限公司，其通訊地址為：110168 遼寧省沈陽市渾南區(qū)李巴彥路8號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。