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龍圖騰網(wǎng)獲悉合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利MTP器件及電子設(shè)備獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120343921B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510823597.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B41/35；該發(fā)明授權(quán)MTP器件及電子設(shè)備是由康紹磊設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-06-19向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本MTP器件及電子設(shè)備在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種MTP器件及電子設(shè)備，包括形成于襯底的第一隧穿晶體管、第二隧穿晶體管、選擇晶體管和電容，所述第一隧穿晶體管和第二隧穿晶體管的背柵相互隔離；所述第一隧穿晶體管和第二隧穿晶體管共用浮柵，所述浮柵作為所述電容的下電極，所述電容還包括柵間介質(zhì)層和控制柵，所述控制柵在豎直方向與所述浮柵相對，通過所述浮柵和控制柵之間的電容耦合控制浮柵的電位；所述第一隧穿晶體管用于實現(xiàn)編程，所述第二隧穿晶體管用于實現(xiàn)擦除。其能夠有效降低F?N隧穿對浮柵與襯底之間的柵氧介質(zhì)的影響，顯著增加MTP器件的存儲器單元的可操作次數(shù)，進(jìn)而有效增加MTP器件的使用壽命。

本發(fā)明授權(quán)MTP器件及電子設(shè)備在權(quán)利要求書中公布了：1.一種MTP器件，其特征在于，包括形成于襯底（10）的第一隧穿晶體管（1）、第二隧穿晶體管（2）、選擇晶體管（3）和電容（4），所述第一隧穿晶體管（1）和第二隧穿晶體管（2）的背柵相互隔離； 所述第一隧穿晶體管（1）和第二隧穿晶體管（2）共用浮柵（41），所述浮柵（41）作為所述電容（4）的下電極，所述電容（4）還包括柵間介質(zhì)層（43）和控制柵（42），所述控制柵（42）在豎直方向與所述浮柵（41）相對，通過所述浮柵（41）和控制柵（42）之間的電容耦合控制浮柵（41）的電位； 所述第一隧穿晶體管（1）用于實現(xiàn)編程，所述第二隧穿晶體管（2）用于實現(xiàn)擦除。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區(qū)合肥綜合保稅區(qū)內(nèi)西淝河路88號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。