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龍圖騰網獲悉齊魯理工學院申請的專利一種氧硫雙空位修飾的SnO₂/SnS₂/C納米材料及其制備方法和應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120309007B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510791210.5，技術領域涉及：C01G19/02；該發明授權一種氧硫雙空位修飾的SnO₂/SnS₂/C納米材料及其制備方法和應用是由孔震;張浩浩;安娟;龐明遠;楊敏;范貴康;沈雨晴設計研發完成，并于2025-06-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種氧硫雙空位修飾的SnO₂/SnS₂/C納米材料及其制備方法和應用在說明書摘要公布了：本發明公開了一種氧硫雙空位修飾的SnO2SnS2C納米材料及其制備方法和應用，屬于電極材料技術領域。將結構調控劑與錫鹽混合，滴加堿液并攪拌，抽濾得到Sn6O4OH4；將葡萄糖和聚乙烯吡咯烷酮加入蒸餾水中，攪拌形成均一溶液，將Sn6O4OH4加入均一溶液中并攪拌，超聲，水熱反應得到SnO2glucose；將SnO2glucose與硫源在惰性氣氛下煅燒得到氧硫雙空位修飾的SnO2SnS2C納米材料。本發明的SnO2SnS2C用于鋰鈉離子電池負極，能有效緩解錫基氧硫化物的體積膨脹，提高電極材料導電性，且表現出高充放電比容量、優異的倍率性能和大倍率長循環穩定性能。

本發明授權一種氧硫雙空位修飾的SnO₂/SnS₂/C納米材料及其制備方法和應用在權利要求書中公布了：1.一種氧硫雙空位修飾的SnO2SnS2C納米材料，其特征在于，所述氧硫雙空位修飾的SnO2SnS2C納米材料中SnO2具有氧空位、SnS2具有硫空位； 所述氧硫雙空位修飾的SnO2SnS2C納米材料由以下方法制備： （1）將結構調控劑與錫鹽混合，然后滴加堿液并攪拌，抽濾后得到沉淀物，將沉淀物干燥得到具有八面體結構的錫氧化物納米顆粒，即Sn6O4OH4；所述錫鹽為SnCl2?2H2O或SnCl4?5H2O；所述結構調控劑為乙二胺或乙二醇；所述堿液為NaOH溶液，其濃度為0.12molL~0.17molL； （2）將葡萄糖和聚乙烯吡咯烷酮加入蒸餾水中，攪拌形成均一溶液，將Sn6O4OH4加入均一溶液中并攪拌，再進行超聲處理，然后進行水熱反應，洗滌干燥后得到葡萄糖包覆氧化錫納米花球，即SnO2glucose；所述葡萄糖、聚乙烯吡咯烷酮和Sn6O4OH4的質量比為3~5：2~5：1~3；所述均一溶液中葡萄糖的濃度為0.01gmL； （3）將SnO2glucose與硫源混合，在惰性氣氛下煅燒，冷卻后得到氧硫雙空位修飾的SnO2SnS2C納米材料；所述硫源為硫粉、硫代乙酰胺或硫氫化鈉；所述SnO2glucose和硫源的質量比為3：2；所述惰性氣氛為氬氣或氮氣。

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