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龍圖騰網獲悉西安交通大學;深圳市天地通電子有限公司申請的專利一種多孔金屬氧化物晶圓級微納氣體傳感器及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114689654B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210335484.X，技術領域涉及：G01N27/00；該發明授權一種多孔金屬氧化物晶圓級微納氣體傳感器及制備方法是由王海容;曹慧通;田鑫;李劍;胡宗鑫設計研發完成，并于2022-03-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種多孔金屬氧化物晶圓級微納氣體傳感器及制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種多孔金屬氧化物晶圓級微納氣體傳感器及制備方法，包括在Si基底正背面制備SiO2?Si3N4雙層復合薄膜；薄膜上沉積SiO2和Si3N4，正面絕緣層上光刻得到敏感材料區域的圖形；自組裝單層SiO2微球，干法刻蝕Si3N4，BOE去除SiO2微球，制作多孔金屬氧化物薄膜。光刻工藝得到敏感電極及引線盤、加熱電極及引線盤、測溫電極及引線盤的圖案；濕法腐蝕制作絕緣槽，烘干，得到多孔金屬氧化物晶圓級微納氣體傳感器。該傳感器通過實現多孔金屬氧化物薄膜的制作來提高傳感器的氣敏性能。本發明中敏感材料帶有亞微米級微孔，具有極高的比表面積和更好的氣體響應特性，能夠實現與MEMS工藝的集成，從而實現晶圓級芯片的加工。

本發明授權一種多孔金屬氧化物晶圓級微納氣體傳感器及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種多孔金屬氧化物晶圓級微納氣體傳感器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 1在Si基底正面和背面，分別采用熱氧化和低壓化學氣相沉積法制備SiO2-Si3N4雙層復合薄膜； 2在正面SiO2-Si3N4雙層復合薄膜上，采用等離子增強化學氣相沉積法依次沉積SiO2和Si3N4，退火； 3在正面絕緣層上，通過勻膠光刻工藝，得到敏感材料區域的圖形； 4在帶有敏感材料區域圖形的硅片正面利用撈取的方法得到單層SiO2微球，加熱，得到SiO2微球掩蔽層； 5在硅片正面利用干法刻蝕Si3N4，制作亞微米級微孔； 6利用BOE溶液去除SiO2微球，同時超聲震蕩； 7在帶有亞微米級微孔的硅片正面的敏感材料區域濺射敏感材料，形成多孔金屬氧化物薄膜； 8利用丙酮-乙醇-去離子水依次清洗，在空氣中熱處理； 9在敏感材料包圍的矩形區域上，采取和步驟3相同的勻膠光刻工藝得到敏感電極及引線盤、加熱電極及引線盤、測溫電極及引線盤的圖案； 10在加熱電極及引線盤和敏感電極及引線盤圖形上濺射Cr粘接層，在粘接層上濺射Au層； 11采取和步驟8相同的工藝，去掉光刻膠，在空氣中加熱； 12采取和步驟3相同的勻膠光刻工藝得到背面凹槽窗口圖案； 13通過深干法刻蝕祛除凹槽窗口處的Si3N4-SiO2層，再用和步驟8相同的工藝去除光刻膠； 14在芯片正面旋涂光刻膠，在芯片正面滴滿PDMS，將芯片正面貼在玻璃片上，烘干； 15利用濕法腐蝕制作絕緣槽，烘干，得到多孔金屬氧化物晶圓級微納氣體傳感器。

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