臺灣積體電路制造股份有限公司李健瑋獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體裝置的形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112447520B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010277936.4，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權半導體裝置的形成方法是由李健瑋;宋學昌;李彥儒設計研發完成，并于2020-04-10向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置的形成方法在說明書摘要公布了：本公開實施例提供一種半導體裝置的形成方法，其是以高溫熱處理和選擇性的氫等離子體處理來處理源極漏極凹口的方式。高溫熱處理將凹口中的表面變平滑，并移除氧化物以及蝕刻副產物。氫等離子體處理垂直及水平地擴大凹口，并抑制凹口中的表面的進一步氧化。
本發明授權半導體裝置的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置的形成方法，包括： 從一基底形成一鰭； 在該鰭上方形成一柵極結構； 在該柵極結構的一側上蝕刻一源極漏極凹口； 將該源極漏極凹口加熱至溫度大于700℃且小于900℃，進而通過縮小該源極漏極凹口的一表面的均方根6％至12％，使該表面變平滑，其中將該源極漏極凹口加熱期間，一金屬層覆蓋一基座，該基座支撐該基底；以及 在該源極漏極凹口中成長一外延源極漏極區。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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