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龍圖騰網(wǎng)獲悉京東方科技集團(tuán)股份有限公司申請(qǐng)的專利轉(zhuǎn)移基板、轉(zhuǎn)移設(shè)備及轉(zhuǎn)移方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114628309B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210187775.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/683；該發(fā)明授權(quán)轉(zhuǎn)移基板、轉(zhuǎn)移設(shè)備及轉(zhuǎn)移方法是由王飛;張笑;谷新;梁軒;趙欣欣設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-02-28向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本轉(zhuǎn)移基板、轉(zhuǎn)移設(shè)備及轉(zhuǎn)移方法在說明書摘要公布了：本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種轉(zhuǎn)移基板、轉(zhuǎn)移設(shè)備及轉(zhuǎn)移方法，轉(zhuǎn)移基板包括基底和設(shè)置于基底一側(cè)的變形層，變形層包括至少一個(gè)變形單元，變形單元遠(yuǎn)離基底的側(cè)面在轉(zhuǎn)移微型器件時(shí)與微型器件接觸；變形單元包括光致變形材料，具有第一狀態(tài)和第二狀態(tài)；變形單元處于第一狀態(tài)相較于第二狀態(tài)具有與微型器件更大的接觸面積；在光照作用下，變形單元自第一狀態(tài)轉(zhuǎn)換為第二狀態(tài)。如此設(shè)計(jì)，變形單元與微型器件的接觸面積變小，而接觸面積的減小，使得變形單元與微型器件的粘結(jié)面積減小，黏力下降，從而使微型器件更為容易地脫離變形單元，完成微型器件轉(zhuǎn)移。因?yàn)楣廨椪兆冃问且环N非接觸的、快速的、可控的變形方法，能夠?qū)崿F(xiàn)快速，高效的微型器件轉(zhuǎn)移。

本發(fā)明授權(quán)轉(zhuǎn)移基板、轉(zhuǎn)移設(shè)備及轉(zhuǎn)移方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種轉(zhuǎn)移基板，其特征在于，包括基底和設(shè)置于所述基底一側(cè)的變形層，所述變形層包括至少一個(gè)變形單元，所述變形單元遠(yuǎn)離所述基底的側(cè)面在轉(zhuǎn)移微型器件時(shí)與所述微型器件接觸；所述變形單元包括光致變形材料，具有第一狀態(tài)和第二狀態(tài)；所述變形單元處于所述第一狀態(tài)相較于所述第二狀態(tài)具有與所述微型器件更大的接觸面積；在光照作用下，所述變形單元自所述第一狀態(tài)轉(zhuǎn)換為所述第二狀態(tài)； 所述基底的一側(cè)設(shè)置有支撐層，所述支撐層包括與所述變形單元對(duì)應(yīng)的支撐凸塊，所述變形單元設(shè)置于所述支撐凸塊；處于所述第一狀態(tài)的所述變形單元在向所述基底的正投影中，所述變形單元投影面積大于所述支撐凸塊；所述變形單元在光照作用下，相對(duì)于所述支撐凸塊向遠(yuǎn)離所述基底的一側(cè)彎曲； 其中，所述變形單元處于所述第一狀態(tài)的曲率小于處于所述第二狀態(tài)的曲率；在所述第二狀態(tài)時(shí)，所述變形單元位于所述支撐凸塊外周的部分向遠(yuǎn)離所述基底的一側(cè)彎曲。

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