上海新微技術(shù)研發(fā)中心有限公司劉濤獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海新微技術(shù)研發(fā)中心有限公司申請(qǐng)的專利減少立體圖形光刻失真的光刻方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN116360207B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202111613795.X,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G03F1/46;該發(fā)明授權(quán)減少立體圖形光刻失真的光刻方法是由劉濤;王詩男;龔燕飛;邰立;吳俊設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2021-12-27向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本減少立體圖形光刻失真的光刻方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明提供一種減少立體圖形光刻失真的光刻方法,包括:1提供一基底,基底的表面具有凹臺(tái)結(jié)構(gòu);2于基底表面、凹臺(tái)結(jié)構(gòu)的側(cè)壁和底部形成光刻膠層;3提供一光掩模,光掩模包括透光基底和掩膜圖形層,在掩膜圖形層上形成抗反射層;4基于光掩模對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光處理,掩膜圖形層至少遮擋凹臺(tái)結(jié)構(gòu)底部的部分光刻膠層,且至少顯露凹臺(tái)結(jié)構(gòu)側(cè)壁的部分光刻膠層;5對(duì)光刻膠層進(jìn)行顯影處理。本發(fā)明可以有效解決立體圖形在接觸式曝光時(shí)光掩膜界面反射光的問題,從而使得光刻圖形得到保真。
本發(fā)明授權(quán)減少立體圖形光刻失真的光刻方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種減少立體圖形光刻失真的光刻方法,其特征在于,所述光刻方法包括: 1提供一基底,所述基底的表面具有凹臺(tái)結(jié)構(gòu),所述凹臺(tái)結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與所述凹臺(tái)結(jié)構(gòu)的底部之間的夾角為鈍角,所述鈍角的角度為95~150度; 2于所述基底表面、所述凹臺(tái)結(jié)構(gòu)的側(cè)壁和底部形成光刻膠層; 3提供一光掩模,所述光掩模包括透光基底和掩膜圖形層,在所述掩膜圖形層上形成抗反射層; 4基于所述光掩模對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光處理,所述掩膜圖形層至少遮擋所述凹臺(tái)結(jié)構(gòu)底部的部分光刻膠層,且至少顯露所述凹臺(tái)結(jié)構(gòu)側(cè)壁的部分光刻膠層; 5對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行顯影處理。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人上海新微技術(shù)研發(fā)中心有限公司,其通訊地址為:201800 上海市嘉定區(qū)城北路235號(hào)1號(hào)樓;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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