買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;阜寧阿特斯陽光電力科技有限公司申請的專利一種N型電池結(jié)構(gòu)及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113078232B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201911305032.1，技術領域涉及：H10F10/14；該發(fā)明授權(quán)一種N型電池結(jié)構(gòu)及其制備方法是由李碩;楊慧;鄧偉偉;蔣方丹設計研發(fā)完成，并于2019-12-17向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種N型電池結(jié)構(gòu)及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種N型電池結(jié)構(gòu)及其制備方法。包括N型硅體材料及形成于所述N型硅體材料表面的金屬柵線電極，其特征在于，所述N型硅體材料的背面設有絨面部分及拋光面部分，所述金屬柵線電極與N型硅體材料接觸的位置位于所述絨面部分內(nèi)。背面金屬柵線電極采用絨面結(jié)構(gòu)，增大了金屬柵線與硅的接觸面積，改善接觸電阻；拋光區(qū)域的平坦表面，能夠改善背面鈍化效果，降低表面復合速率，同時增強對長波的內(nèi)反射，提高正面電流。

本發(fā)明授權(quán)一種N型電池結(jié)構(gòu)及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種N型電池結(jié)構(gòu)的制備方法，包括N型硅體材料及形成于所述N型硅體材料表面的金屬柵線電極，其特征在于，所述N型電池結(jié)構(gòu)的制備方法包括： 1對N型電池片進行兩面制絨； 2正面單面硼擴，形成pn結(jié)； 3正面水膜保護的條件下，對背面進行刻蝕； 4背面單面磷擴，并形成掩膜：對背面制絨的N型硅體材料進行背面單面磷擴，同時在背面形成含磷氧化硅PSG； 5背面制作油墨柵線：采用油墨漿料制作油墨柵線作為保護層； 6正面水膜保護的條件下，使用HF溶液去除未被步驟5所述保護層保護的PSG； 7清洗掉油墨； 8堿液拋光：使用堿液浸泡步驟7后的電池片，無PSG保護的位置被拋光成拋光面，有PSG保護的位置保留絨面； 9使用HF溶液浸泡步驟8后的電池片，去掉背面柵線位置的PSG以及正面的含硼二氧化硅BSG； 10正面背面鍍鈍化膜：正面依次鍍鈍化膜和減反射膜，背面鍍保護層； 11正背面電極制備，其中背面電極制備采用金屬漿料，在步驟10所述絨面的位置制備金屬柵線電極； 12燒結(jié)； 所述N型硅體材料的背面設有絨面部分及拋光面部分，所述金屬柵線電極與N型硅體材料接觸的位置位于所述絨面部分內(nèi)； 所述N型電池還包括依次位于所述N型硅體材料正面的pn結(jié)層、鈍化層、減反射層和正面電極， 以及依次位于所述N型硅體材料背面的量子隧穿層、P摻雜的多晶硅層、保護層和金屬柵線電極。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;阜寧阿特斯陽光電力科技有限公司，其通訊地址為：215129 江蘇省蘇州市高新區(qū)鹿山路199號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。