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龍圖騰網(wǎng)獲悉QORVO美國公司申請的專利RF半導體裝置和其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113614895B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202080023358.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/56；該發(fā)明授權(quán)RF半導體裝置和其制造方法是由朱利奧·C·科斯塔;邁克爾·卡羅爾;菲利普·W·梅森;小梅里爾·阿爾貝特·哈徹設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-01-22向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本RF半導體裝置和其制造方法在說明書摘要公布了：本公開涉及一種射頻裝置，該射頻裝置包含模制裝置管芯和位于模制裝置管芯之下的多層重新分布結(jié)構(gòu)。模制裝置管芯包含裝置區(qū)域、阻擋層和第一模制化合物，裝置區(qū)域具有后段制程BEOL部分和位于BEOL部分之上的前段制程FEOL部分。FEOL部分包含隔離區(qū)段和有源層，有源層被隔離區(qū)段圍繞。由氮化硅形成的阻擋層位于有源層之上并且位于隔離區(qū)段的頂表面之上。第一模制化合物位于阻擋層之上。在本文中，在第一模制化合物與有源層之間不存在硅晶體。多層重新分布結(jié)構(gòu)包含多個凸點結(jié)構(gòu)，多個凸點結(jié)構(gòu)位于多層重新分布結(jié)構(gòu)的底部處并且電耦接到模制裝置管芯的FEOL部分。

本發(fā)明授權(quán)RF半導體裝置和其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種射頻裝置，其包括： 模制裝置管芯，所述模制裝置管芯包括裝置區(qū)域、阻擋層和第一模制化合物，其中： 所述裝置區(qū)域包含前段制程部分和位于所述前段制程部分之下的后段制程部分，其中所述前段制程部分包括有源層和隔離區(qū)段，所述隔離區(qū)段圍繞所述有源層并且豎直延伸超過所述有源層的頂表面，以在所述隔離區(qū)段內(nèi)和所述有源層之上限定開口； 鈍化層，位于所述有源層的所述頂表面之上并且位于所述開口內(nèi)，其中，所述鈍化層由二氧化硅形成； 所述阻擋層連續(xù)地覆蓋所述開口內(nèi)的暴露表面，直接位于所述鈍化層之上，并且位于所述前段制程部分的所述隔離區(qū)段的頂表面之上，其中所述阻擋層由氮化硅形成；以及 所述第一模制化合物位于所述阻擋層之上，其中在所述第一模制化合物與所述有源層之間不存在不具有鍺、氮或氧含量的硅晶體；以及 多層重新分布結(jié)構(gòu)，所述多層重新分布結(jié)構(gòu)形成于所述模制裝置管芯的所述后段制程部分之下，其中所述多層重新分布結(jié)構(gòu)包括多個凸點結(jié)構(gòu)，所述多個凸點結(jié)構(gòu)位于所述多層重新分布結(jié)構(gòu)的底表面上并且電耦接到所述模制裝置管芯的所述前段制程部分。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人QORVO美國公司，其通訊地址為：美國北卡羅萊納州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。