吳勇軍獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉吳勇軍申請的專利高密度封裝引線框架結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111128945B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010069586.2，技術領域涉及：H01L23/495；該發明授權高密度封裝引線框架結構是由吳勇軍;張春輝設計研發完成，并于2020-01-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本高密度封裝引線框架結構在說明書摘要公布了：本發明公開了一種高密度封裝引線框架結構，包括依次層疊設置的底部框架、至少一個引線框架和多個用于安裝芯片且具有導電性的焊盤或凸起；每個所述引線框架包括自所述底部框架的頂面依次層疊設置的緩沖層和RDL線路層，所述焊盤或凸起設置于最遠離所述底部框架的引線框架的RDL線路層上表面；所述緩沖層為低CTE值絕緣材料層，所述RDL線路層通過導通結構連接于所述底部框架的表面。本發明通過設置金屬陶瓷混合型的引線框架結構，極大地解決了由于硅基與金屬基板膨脹系數差值過大無法高密度安裝芯片的問題，同時可以克服翹曲和均勻性不足這些缺陷。
本發明授權高密度封裝引線框架結構在權利要求書中公布了：1.一種高密度封裝引線框架結構，其特征在于，包括依次層疊設置的底部框架、至少一個引線框架和多個用于安裝芯片且具有導電性的焊盤或凸起；每個引線框架包括自所述底部框架的頂面依次層疊設置的緩沖層和RDL線路層，所述焊盤或凸起設置于最遠離所述底部框架的引線框架的RDL線路層上表面；所述緩沖層為低CTE值絕緣材料層，所述RDL線路層通過導通結構連接于所述底部框架的表面； 所述底部框架遠離所述緩沖層表面設置有焊盤層，用于連接所述底部框架和基板； 所述至少一個引線框架還包括導氣槽，所述導氣槽形成的氣流通道連通所述底部框架和安裝的芯片。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人吳勇軍，其通訊地址為：415300 湖南省常德市石門縣夾山鎮三板橋村南門6組06010號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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